[發明專利]閃存存儲器工作性能仿真方法和裝置

無效

• 申請號: 201410035936.8
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103778970A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 郭建平;湛燦輝
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種閃存存儲器工作性能仿真方法，其特征在于，包括：

根據閃存存儲器仿真模型，獲取閃存存儲器在工作第一時間后的老化后的物理參數，所述閃存存儲器仿真模型包括至少一個閃存存儲單元仿真模型，所述閃存存儲單元仿真模型包括金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS管仿真模型、等效福勒－諾德海姆FN隧穿電流的電流源模型、等效應力引起的泄露電流SILC的電流源模型、等效浮柵電荷變化的電源模型和仿真運算放大器，所述等效浮柵電荷變化的電源的負極與所述MOS管仿真模型的控柵極連接，所述等效浮柵電荷變化的電源模型的正極與所述MOS管仿真模型的浮柵極連接，所述仿真運算放大器與所述MOS管仿真模型的襯底極連接；

根據所述老化后的物理參數和所述閃存存儲器仿真模型，獲取老化后的所述閃存存儲器的工作性能。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在工作第一時間后的老化后的物理參數，包括：

根據預設的閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在所述第一時間內的飽和電流退化百分比；

根據所述飽和電流退化百分比，獲取所述閃存存儲器在工作所述第一時間后的老化后的物理參數。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在所述第一時間內的飽和電流退化百分比，包括：

獲取所述閃存存儲器仿真模型中各閃存存儲單元在仿真時間Δt內的漏源極電壓和柵源極電壓；

根據所述Δt內的所述漏源極電壓和熱載流子注入HCI導致的飽和電流退化模型，獲得HCI導致的所述各閃存存儲單元在所述第一時間內的第一飽和電流退化百分比；

根據所述Δt內的所述柵源極電壓和低壓溫度不穩定性BTI導致的飽和電流退化模型，獲得BTI導致的所述各閃存存儲單元在所述第一時間內的第二飽和電流退化百分比；

確定所述各閃存存儲單元在所述第一時間內的第一飽和電流退化百分比與第二飽和電流退化百分比之和為所述各閃存存儲單元在所述第一時間內的飽和電流退化百分比；

所述根據所述閃存存儲器的飽和電流退化百分比，獲取所述閃存存儲器在工作所述第一時間后的老化后的物理參數，包括：

根據所述各閃存存儲單元在所述第一時間內的飽和電流退化百分比，獲得所述各閃存存儲單元在工作所述第一時間后的老化后的物理參數。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述閃存存儲器在工作第一時間內處于至少以下一種工作狀態：讀工作狀態、編程工作狀態、擦除工作狀態、保持工作狀態。

5.一種閃存存儲器工作性能仿真裝置，其特征在于，包括：

第一處理單元，用于根據閃存存儲器仿真模型，獲取閃存存儲器在工作第一時間后的老化后的物理參數，所述閃存存儲器仿真模型包括至少一個閃存存儲單元仿真模型，所述閃存存儲單元仿真模型包括金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS管仿真模型、等效福勒－諾德海姆FN隧穿電流的電流源模型、等效應力引起的泄露電流SILC的電流源模型、等效浮柵電荷變化的電源模型和仿真運算放大器，所述等效浮柵電荷變化的電源的負極與所述MOS管仿真模型的控柵極連接，所述等效浮柵電荷變化的電源模型的正極與所述MOS管仿真模型的浮柵極連接，所述仿真運算放大器與所述MOS管仿真模型的襯底極連接；

第二處理單元，用于根據所述第一處理單元獲取的所述老化后的物理參數和所述閃存存儲器仿真模型，獲取老化后的所述閃存存儲器的工作性能。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一處理單元包括：

第一處理子單元，用于根據預設的閃存存儲器仿真模型，獲取所述閃存存儲器在所述第一時間內的飽和電流退化百分比；

第二處理子單元，用于根據所述第一處理子單元獲取的所述飽和電流退化百分比，獲取所述閃存存儲器在工作所述第一時間后的老化后的物理參數。