[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410035614.3
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103996711B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 前田茂伸;松田司;福留秀暢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

第一鰭，在襯底上；

第一柵電極，在襯底上，與所述第一鰭交叉；

第一抬高源/漏極，在所述第一鰭上且在所述第一柵電極的一側；

接觸，在所述第一抬高源/漏極上而與所述第一鰭相對；以及

第一金屬合金層，在所述第一抬高源/漏極的上表面和側壁上，以與所述第一鰭和所述接觸直接接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一鰭，并且所述第一部分的寬度小于所述第二部分的寬度。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一金屬合金層形成在所述第一抬高源/漏極的所述第一部分和所述第二部分兩者上。

4.如權利要求1所述的半導體器件，還包括第二鰭、與所述第二鰭交叉的第二柵電極、在所述第二鰭上且在所述第二柵電極的一側的第二抬高源/漏極、以及在所述第二抬高源/漏極的上表面和側壁上的第二金屬合金層。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極和所述第二抬高源/漏極具有不同的導電類型，并且所述第一金屬合金層和所述第二金屬合金層包括相同的材料。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一金屬合金層和所述第二金屬合金層包括NiSi或TiSi。

7.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極和所述第二抬高源/漏極具有不同的導電類型，并且所述第二金屬合金層包括與所述第一金屬合金層不同的材料。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一金屬合金層包括Pt、Pd、NiB和NiPt中的至少一種，所述第二金屬合金層包括Co、Cr、W、Mo、Ta、Er和NiP中的至少一種。

9.如權利要求4所述的半導體器件，還包括層間絕緣膜和側壁絕緣膜，該層間絕緣膜覆蓋所述第一抬高源/漏極、所述第一金屬合金層、所述第二抬高源/漏極和所述第二金屬合金層，該側壁絕緣膜在所述第二金屬合金層與所述層間絕緣膜之間并沿所述第二金屬合金層的側壁共形地形成。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極具有菱形形狀、圓形形狀和矩形形狀中的至少一種。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一金屬合金層包括硅化物。

12.一種半導體器件，包括：

第一鰭，在襯底上；

第一柵電極，在所述襯底上，與所述第一鰭交叉；

第一抬高源/漏極，在所述第一鰭上且在所述第一柵電極的一側；

接觸，在所述第一抬高源/漏極上而與所述第一鰭相對；以及

第一金屬合金層，沿著所述第一抬高源/漏極的外表面，以與所述第一鰭和所述接觸直接接觸。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一鰭，其中所述第一部分的寬度小于所述第二部分的寬度，并且其中所述第一金屬合金層在所述第一抬高源/漏極的所述第一部分和所述第二部分上。

14.如權利要求12所述的半導體器件，其中所述第一抬高源/漏極具有菱形形狀、圓形形狀和矩形形狀中的至少一種。