[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410035614.3
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103996711B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 前田茂伸;松田司;福留秀暢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：第一鰭，在襯底上；第一柵電極，形成在襯底上以與第一鰭交叉；第一抬高源/漏極，在第一鰭上且在第一柵電極的兩側(cè)；以及第一金屬合金層，在第一抬高源/漏極的上表面和側(cè)壁上。

技術領域

本發(fā)明構思涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

已經(jīng)提出的一種用于增加半導體器件的密度的等比例縮小技術是使用多柵極晶體管，在多柵極晶體管中半導體鰭形成在襯底上并且柵極形成在半導體鰭的表面上。

在這樣的多柵極晶體管中，使用了三維溝道，這有助于等比例縮小半導體器件。此外，能夠改善電流控制能力而沒有增加多柵極晶體管的柵極長度。另外，能夠有效地抑制其中溝道區(qū)的電勢受到漏極電壓影響的短溝道效應（SCE）。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構思提供能夠減少操作電流消耗的半導體器件。

本發(fā)明構思還提供能夠減少操作電流消耗的半導體器件的制造方法。

本發(fā)明構思的目的不限于此，本發(fā)明構思的其他目的將在以下對實施方式的描述中被描述或從以下對實施方式的描述而變得明顯。

根據(jù)本發(fā)明構思的一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：第一鰭，在襯底上；第一柵電極，在襯底上，與第一鰭交叉；第一抬高源/漏極，在第一鰭上且在第一柵電極的一側(cè)；以及第一金屬合金層，在第一抬高源/漏極的上表面和側(cè)壁上。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：第一鰭，在襯底上；第一柵電極，在襯底上，與第一鰭交叉；第一抬高源/漏極，在第一鰭上且在第一柵電極的一側(cè)；接觸，在第一抬高源/漏極上而與第一鰭相對；以及第一金屬合金層，沿著第一抬高源/漏極的周邊，以與第一鰭和接觸直接接觸。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：多個第一鰭，在襯底上；第一柵電極，形成在襯底上以與多個第一鰭交叉；多個第一抬高源/漏極，分別形成在多個第一鰭上且在第一柵電極的兩側(cè)；多個第一金屬合金層，分別形成在多個第一抬高源/漏極的上表面和側(cè)壁上；接觸孔，同時暴露多個第一金屬合金層的部分；以及接觸，填充接觸孔。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：襯底，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域中的第一鰭型晶體管，包括第一鰭、與第一鰭交叉的第一柵電極、在第一鰭上且在第一柵電極的兩側(cè)的第一抬高源/漏極、以及在第一抬高源/漏極的上表面和側(cè)壁上的第一金屬合金層；以及在第二區(qū)域中的第二鰭型晶體管，包括第二鰭、與第二鰭交叉的第二柵電極、在第二鰭上且在第二柵電極的兩側(cè)的第二抬高源/漏極、以及在第二抬高源/漏極的上表面上而不形成在第二抬高源/漏極的側(cè)壁上的第二金屬合金層。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一個方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：鰭，在襯底上；柵電極，在襯底上且在鰭上；抬高源/漏極，在鰭上且在柵電極的一側(cè)；接觸，在抬高源/漏極上而與鰭相對；以及金屬合金層，在抬高源/漏極的外表面上，提供鰭和接觸之間的主要電路徑。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發(fā)明構思的示例性實施方式，本發(fā)明構思的以上和其他的方面和特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構思的第一實施方式的半導體器件的透視圖；

圖2、圖3和圖4分別是圖1的半導體器件沿著圖1的線A-A、B-B和C-C截取的截面圖；

圖5是比較本發(fā)明的第一實施方式與現(xiàn)有技術器件的一對截面圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構思的第二實施方式的半導體器件的截面圖；

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明構思的第三實施方式的半導體器件的截面圖；