[發明專利]高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201410035489.6
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN103788952A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 劉曉敏;孔祥貴;張友林;涂浪平;常鈺磊
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: C09K11/85
• 分類號: C09K11/85;C09K11/02
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 王丹陽

1.高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，該熒光納米材料以NaYF₄為基質，摻雜稀土敏化離子，高摻雜稀土發光中心離子，具有納米晶微觀形態，納米粒子為同質核殼結構，在納米粒子的表面復合有有機天線分子，所述有機天線分子的寬帶吸收范圍在紅外區750nm-1100nm之間，并且覆蓋980nm。

2.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述稀土敏化離子為Yb³⁺。

3.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述稀土敏化離子的摻雜量為10%-40%。

4.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述稀土發光中心離子為Er³⁺、Tm³⁺或Ho³⁺。

5.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述稀土發光中心離子的摻雜量為2%-5%。

6.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述有機天線分子為Pt-TPTNP、Pt-Ar₄TNP(OMe)₈或Pt-Ar₄TAP。

7.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述納米粒子與有機天線分子的摩爾比為1:(12.5-100)。

8.根據權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料，其特征在于，所述納米粒子的表面以聚合物包覆的方式復合有機天線分子。

9.權利要求1所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)制備以NaYF₄為基質，摻雜稀土敏化離子，高摻雜稀土發光中心離子的具有同質核殼結構的納米粒子；

(2)將步驟(1)得到的具有同質核殼結構的納米粒子經表面改性與有機天線分子復合，得到高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料。

10.根據權利要求9所述的高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料的制備方法，其特征在于，所述具有同質核殼結構的納米粒子經表面改性與有機天線分子復合采用的方法是：將具有同質核殼結構的納米粒子溶于有機溶劑中，得到納米粒子的溶液，再將納米粒子的溶液加入聚合物與有機天線分子的混合物中，得到混合體系，將混合體系在24-80℃攪拌反應12-36h，得到高摻雜寬帶激發稀土上轉換熒光納米材料。