[發(fā)明專利]用于實施基于地址的SRAM訪問協(xié)助的系統(tǒng)和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410033451.5
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN103943141A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 馬哈茂德·埃爾辛·西納格爾;威廉·J·達利
• 申請（專利權）人: 輝達公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 謝栒;張瑋

本發(fā)明根據(jù)由DOE所頒發(fā)的LLNS轉包B599861在政府的支持下以及根據(jù)由DARPA所頒發(fā)的協(xié)議HR0011-13-3-0001在政府的支持下做出。政府對本發(fā)明具有一定權利。

優(yōu)先權聲明

本申請是于2013年1月23日所提交的13/748,499號美國專利申請（代理人案號NVIDP860/SC-12-0334-US1）的部分繼續(xù)申請，其整體內(nèi)容通過引用并入本文。

技術領域

本發(fā)明涉及存儲電路，并且更具體地，涉及訪問協(xié)助。

背景技術

靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）陣列有時設計為包括電壓協(xié)助電路以改進性能。具體地，電壓協(xié)助可以改進讀取自和寫入至SRAM單元的能力，并且可以防止所存儲的值在讀和寫操作期間被無意地翻轉。現(xiàn)有的協(xié)助機制典型地被設計用于最壞情況，以對寬范圍的操作條件和制造變化負責。這可導致協(xié)助電路相對大并且消耗大量電力。

因此，存在對于解決訪問可靠性的問題和/或與現(xiàn)有技術相關聯(lián)的其他問題的需求。

發(fā)明內(nèi)容

提供用于實施基于地址的存儲器訪問協(xié)助的系統(tǒng)和方法。接收用于存儲器訪問的地址并且基于地址確定存儲器訪問被使能用于與地址相對應的至少一個存儲單元。將訪問協(xié)助應用到至少一個存儲單元以實施存儲器訪問。

附圖說明

圖1A示意性地示出可以被提供有本文所描述的電壓提升機制的實施例的示范性SRAM陣列。

圖1B示意性地示出根據(jù)一個實施例的、圖1A的SRAM陣列的SRAM單元。

圖2A示意性地示出根據(jù)一個實施例的、用于在SRAM字線上提供經(jīng)提升電壓的電壓提升電路的示例。

圖2B示出根據(jù)一個實施例的、在圖2A的電壓提升電路的操作期間出現(xiàn)的示范性波形。

圖3A示意性地示出根據(jù)一個實施例的、用于在SRAM位線上提供經(jīng)提升電壓的電壓提升電路的示例。

圖3B示出根據(jù)一個實施例的、在圖3A的電壓提升電路的操作期間出現(xiàn)的示范性波形。

圖4A和4B示出根據(jù)一個實施例的、用于向SRAM線提供可變水平的電壓協(xié)助的示范性電容器陣列。

圖5示意性地描繪根據(jù)一個實施例的、用于基于地址和其他參數(shù)/條件提供可變水平的電壓提升的機制。

圖6示出根據(jù)一個實施例的、用于實施基于地址的存儲器訪問協(xié)助的方法的流程圖。

圖7A示出根據(jù)一個實施例的、耦連到可編程訪問協(xié)助單元700的、圖1B的存儲單元電路。

圖7B示出根據(jù)一個實施例的、用于生成用來實施基于地址的存儲器訪問協(xié)助的一個或多個協(xié)助圖的方法的流程圖。

圖8A示出根據(jù)一個實施例的、用于實施基于地址的存儲器訪問協(xié)助的方法的另一流程圖。

圖8B示出根據(jù)一個實施例的、用于使用協(xié)助圖分配存儲器的方法的流程圖。

圖9示出在其中可以實現(xiàn)各先前實施例的各種架構和/或功能性的示例性系統(tǒng)。

具體實施方式

隨著技術進步，SRAM設備越來越小并且操作電壓已經(jīng)減小，其提供電力節(jié)省和性能改進。然而，隨著這些參數(shù)被降低，制造容差和操作條件固有的可變性具有負面影響設備性能的較大潛力。特別是，這些改進允許具有較低電荷（charge）水平的存儲器狀態(tài)的存儲。然而，這可以增加設備被噪聲源（例如環(huán)境電磁噪聲、由其他系統(tǒng)部件所輻射的噪聲、電源噪聲等）、被漏電流等所不利影響的可能性。具體的設計挑戰(zhàn)包括確保可靠地讀取自和寫入至單元以及在讀和寫操作期間避免存儲器狀態(tài)的無意損壞的能力。

電壓協(xié)助可以用來解決這些挑戰(zhàn)并且確保面對減小的電壓和物理維度的成功的操作。例如，各種信號、節(jié)點等可以被提升超出由用來另行操作存儲器存儲單元的正和負供電所界定的范圍。如本文所使用的，術語“電壓提升”等將用來指代存儲器單元的電壓供電范圍之外的任何電壓，并且可以因此意指例如將信號/節(jié)點增加到正供電之上的電平或負供電之下的電平。