[發(fā)明專利]用于實施基于地址的SRAM訪問協(xié)助的系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410033451.5 | 申請日： | 2014-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN103943141A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馬哈茂德·埃爾辛·西納格爾;威廉·J·達利 | 申請（專利權(quán)）人： | 輝達公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 謝栒;張瑋 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 實施 基于 地址 sram 訪問 協(xié)助 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種方法，包括：
接收用于存儲器訪問的地址；
基于所述地址，確定訪問協(xié)助被使能用于存儲器陣列的與所述地址相對應的至少一個存儲單元；以及
將所述訪問協(xié)助應用到所述至少一個存儲單元以實施所述存儲器訪問。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述訪問協(xié)助包括位線電壓提升、字線電壓提升和供電電壓提升中的至少一個。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述訪問協(xié)助指定電壓提升的水平。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中應用所述訪問協(xié)助包括：
將第一訪問協(xié)助變體應用到所述至少一個存儲單元的第一存儲單元；以及
同時將第二訪問協(xié)助變體應用到所述至少一個存儲單元的第二存儲單元。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括接收非地址條件并且確定所述訪問協(xié)助被使能是基于所述非地址條件的。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述非地址條件包括所測量的溫度、所測量的供電電壓、操作頻率、老化因素和經(jīng)縮放的供電電壓中的一個或多個。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述非地址條件包括讀操作或?qū)懖僮髦械囊粋€或多個。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括基于所述非地址條件修改所述訪問協(xié)助。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括生成指定使能所述訪問協(xié)助用于其的所述至少一個存儲單元的訪問協(xié)助圖。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中生成所述訪問協(xié)助圖包括：
在所述訪問協(xié)助被禁用的情況下訪問所述存儲單元陣列；
標識所述存儲器陣列的失敗存儲單元；
在所述訪問協(xié)助被使能的情況下，訪問所述存儲單元陣列的所述失敗存儲單元；
在所述訪問協(xié)助圖中指示在所述訪問協(xié)助被使能的情況下通過的所述失敗存儲單元。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述訪問協(xié)助圖指定所要應用到所述至少一個存儲單元的所述訪問協(xié)助的變體。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述訪問協(xié)助圖為與所述地址相對應的第一存儲單元指定所述訪問協(xié)助的第一變體并且為與所述地址相對應的第二存儲單元指定所述訪問協(xié)助的第二變體。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括基于所述訪問協(xié)助圖分配所述存儲器陣列的一部分。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：
生成第一訪問協(xié)助圖，所述第一訪問協(xié)助圖指定針對第一操作條件使能所述訪問協(xié)助用于其的第一存儲單元；以及
生成第二訪問協(xié)助圖，所述第二訪問協(xié)助圖指定針對第二操作條件使能所述訪問協(xié)助用于其的第二存儲單元。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：
生成第一訪問協(xié)助圖，所述第一訪問協(xié)助圖指定針對操作條件使能所述訪問協(xié)助的第一變體用于其的第一存儲單元；以及
生成第二協(xié)助圖，所述第二協(xié)助圖指定針對所述操作條件使能所述訪問協(xié)助的第二變體用于其的所述第一存儲單元。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括利用冗余存儲單元替換錯誤存儲單元。
17.一種集成電路，包括：
存儲單元的存儲器陣列；以及
訪問協(xié)助電路，其耦連到所述存儲單元的存儲器陣列并且構(gòu)造為：
接收用于存儲器訪問的地址；
基于所述地址確定訪問協(xié)助被使能用于所述存儲器陣列的與所述地址相對應的至少一個存儲單元；以及
將所述訪問協(xié)助應用到所述至少一個存儲單元以實施所述存儲器訪問。
18.如權(quán)利要求17所述的集成電路，其中所述訪問協(xié)助包括位線電壓提升、字線電壓提升和供電電壓提升中的至少一個。
19.如權(quán)利要求18所述的集成電路，其中所述訪問協(xié)助指定電壓提升的水平。
20.如權(quán)利要求17所述的集成電路，其中所述訪問協(xié)助電路進一步構(gòu)造為接收非地址條件并且確定所述訪問協(xié)助被使能是基于所述非地址條件的。
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