[發明專利]半導體器件設計方法和導電凸塊圖案增強方法

有效

• 申請號: 201410032860.3
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104657532B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 王姿予;吳偉誠;許國經;侯上勇;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種設計半導體器件的方法，所述方法包括：

設計導電凸塊圖案設計；

對所述導電凸塊圖案設計執行導電凸塊圖案增強算法以創建增強的導電凸塊圖案設計；

基于所述增強的導電凸塊圖案設計來設計布線圖案；以及

對所述布線圖案執行設計規則檢查(DRC)程序，

其中，所述導電凸塊圖案增強算法包括：

輸入所述導電凸塊圖案設計的多個坐標；

計算所述導電凸塊圖案設計的有效導電凸塊圖案密度；

模擬所述導電凸塊圖案設計的導電凸塊高度；以及

識別熱點以創建所述導電凸塊圖案設計的圖案增強引導，

其中，所述導電凸塊圖案表示所述半導體器件上需要外部電連接的終端的位置。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述導電凸塊圖案設計實時執行所述導電凸塊圖案增強算法。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：在設計所述布線圖案之前，對所述增強的導電凸塊圖案設計執行測試。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，如果通過所述測試，則設計所述布線圖案。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，對所述導電凸塊圖案設計實時執行所述導電凸塊圖案增強算法，并且如果所述測試失敗，則所述方法包括重復設計所述導電凸塊圖案設計。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：創建所述布線圖案的工廠存儲記錄。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括：對所述布線圖案執行測試。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，如果通過所述測試，則創建所述布線圖案的工廠存儲記錄。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，如果所述測試失敗，則所述方法包括重復設計所述導電凸塊圖案設計、執行所述導電凸塊圖案增強算法和/或設計所述布線圖案。

10.一種增強半導體器件的導電凸塊圖案的方法，包括：

輸入所述導電凸塊圖案設計的多個坐標；

計算所述導電凸塊圖案設計的有效導電凸塊圖案密度；

模擬所述導電凸塊圖案設計的導電凸塊高度；以及

識別熱點以創建所述導電凸塊圖案設計的圖案增強引導。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述導電凸塊圖案包括用于多個導電凸塊的圖案，其中，輸入所述導電凸塊圖案的多個坐標包括：以(x_i，y_i)格式輸入所述導電凸塊圖案中的多個導電凸塊的每一個的多個坐標，并且i是所述多個所述導電凸塊的每一個導電凸塊的編號。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，計算所述有效導電凸塊圖案密度包括：

選擇導電凸塊區域；

計算所選擇的導電凸塊區域的密度；

計算所選擇的導電凸塊區域的周圍區域的密度；以及

根據所選擇的導電凸塊區域的密度和所述周圍區域的密度計算所述半導體器件的所述多個導電凸塊的有效密度D。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，計算所選擇的導電凸塊區域的密度包括計算A％，其中，計算所述周圍區域的密度包括計算B％，并且計算所述多個導電凸塊的有效密度D包括使用方程式1：

方程式1 D＝(w×A％+(1-w)×B％)；

其中，w包括加權值。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，w為0.3至0.5。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，模擬所述導電凸塊高度包括：將所述導電凸塊高度模擬為所述多個導電凸塊的密度的函數。