[發(fā)明專利]具有穿過(guò)埋氧層的漏極側(cè)接觸件的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410032859.0
• 申請(qǐng)日: 2014-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104681611B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林東陽(yáng);蔣昕志;柳瑞興;雷明達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)

器件制造商不斷地面臨的挑戰(zhàn)是通過(guò)例如提供具有高品質(zhì)性能的集成電路給用戶創(chuàng)造價(jià)值和方便。用于高壓應(yīng)用（具有高擊穿電壓）的一些金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）具有使晶體管能夠承受高擊穿電壓和高電流的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；埋氧層，位于所述襯底上方；掩埋n+區(qū)域，在所述襯底中位于所述埋氧層下面；外延層，位于所述埋氧層上方，所述外延層包括：p阱；n阱；和漂移區(qū)，介于所述p阱和所述n阱之間；源極接觸件；第一電極，將所述源極接觸件電連接至所述p阱；柵極，位于所述p阱的一部分和所述漂移區(qū)的一部分上方；漏極接觸件；以及第二電極，從所述漏極接觸件延伸穿過(guò)所述n阱并穿過(guò)所述埋氧層，到達(dá)所述掩埋n+區(qū)域，其中，所述第二電極將所述漏極接觸件電連接至所述n阱和所述掩埋n+區(qū)域。

該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括：源極n+區(qū)域，位于所述p阱內(nèi)；以及源極p+區(qū)域，位于所述p阱內(nèi)，其中，所述第一電極電連接至所述源極n+區(qū)域和所述源極p+區(qū)域，并且所述第一電極通過(guò)所述源極n+區(qū)域和所述源極p+區(qū)域的方式電連接至所述p阱。

該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括：漏極n+區(qū)域，位于所述n阱內(nèi)；其中，所述第二電極進(jìn)一步電連接至所述漏極接觸件和所述n阱內(nèi)的所述漏極n+區(qū)域。

該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括：絕緣層，位于所述外延層上方。

在該半導(dǎo)體器件中，所述絕緣層是氧化物層。

在該半導(dǎo)體器件中，所述柵極位于所述絕緣層內(nèi)。

在該半導(dǎo)體器件中，所述第二電極包括金屬材料。

在該半導(dǎo)體器件中，所述第二電極包括多晶硅材料。

在該半導(dǎo)體器件中，所述第二電極與所述外延層絕緣。

在該半導(dǎo)體器件中，所述第二電極通過(guò)絕緣層與所述外延層絕緣，所述絕緣層內(nèi)襯于要形成所述第二電極的開(kāi)口的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括：形成具有襯底上方的埋氧層的絕緣體上硅晶圓；在所述襯底中的所述埋氧層下面形成掩埋n+區(qū)域；在所述埋氧層上方的所述絕緣體上硅晶圓的外延層中形成p阱、n阱以及介于所述p阱和所述n阱之間的漂移區(qū)；使用第一電極將源極接觸件電連接至所述p阱；在所述p阱的一部分和所述漂移區(qū)的一部分的上方形成柵極；形成穿過(guò)所述n阱和所述埋氧層的開(kāi)口以露出所述掩埋n+區(qū)域；在所述開(kāi)口中沉積第二電極；以及使用所述第二電極將漏極接觸件電連接至所述n阱和所述掩埋n+區(qū)域。

該方法進(jìn)一步包括：在所述p阱中形成源極n+區(qū)域；在所述p阱中形成源極p+區(qū)域；以及使用所述第一電極將所述源極n+區(qū)域和所述源極p+區(qū)域電連接至所述源極接觸件，其中，所述源極接觸件通過(guò)所述源極n+區(qū)域和所述源極p+區(qū)域的方式電連接至所述p阱。

該方法進(jìn)一步包括：在所述n阱中形成漏極n+區(qū)域；以及將所述漏極接觸件電連接至所述n阱中的所述n+區(qū)域。

該方法進(jìn)一步包括：在所述外延層上方形成絕緣層。

在該方法中，所述絕緣層是氧化物層。

在該方法中，所述柵極位于所述絕緣層中。

該方法進(jìn)一步包括：在要沉積所述第二電極的所述開(kāi)口的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁上形成第二電極絕緣層，以使所述第二電極與所述外延層絕緣。

該方法進(jìn)一步包括：去除所述第二電極絕緣層的至少一部分以露出所述掩埋n+區(qū)域，以有助于使用所述第二電極將所述漏極接觸件電連接至所述掩埋n+區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括：形成穿過(guò)絕緣體上硅晶圓的n阱和埋氧層的開(kāi)口以露出所述絕緣體上硅晶圓的掩埋n+區(qū)域，所述掩埋n+區(qū)域在所述絕緣體上硅的襯底中位于所述埋氧層下面；使用第一電極將源極接觸件電連接至所述絕緣體上硅晶圓的p阱；在所述開(kāi)口中沉積第二電極；以及使用所述第二電極將漏極接觸件電連接至所述絕緣體上硅晶圓的n阱和掩埋n+區(qū)域。

該方法進(jìn)一步包括：在要沉積所述第二電極的所述開(kāi)口的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁上形成第二電極絕緣層，以使所述第二電極與所述絕緣體上硅晶圓的外延層絕緣；以及去除所述第二電極絕緣層的至少一部分露出所述掩埋n+區(qū)域，以有助于使用所述第二電極將所述漏極接觸件電連接至所述掩埋n+區(qū)域。

附圖說(shuō)明