[發明專利]具有穿過埋氧層的漏極側接觸件的半導體器件

有效

• 申請號: 201410032859.0
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104681611B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 林東陽;蔣昕志;柳瑞興;雷明達
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

埋氧層，位于所述襯底上方；

掩埋n+區域，在所述襯底中位于所述埋氧層下面；

外延層，位于所述埋氧層上方，所述外延層包括：

p阱；

n阱；和

漂移區，介于所述p阱和所述n阱之間；

源極接觸件；

第一電極，將所述源極接觸件電連接至所述p阱；

柵極，位于所述p阱的一部分和所述漂移區的一部分上方；

漏極接觸件；以及

第二電極，從所述漏極接觸件延伸穿過所述n阱并穿過所述埋氧層，到達所述掩埋n+區域，

其中，所述第二電極將所述漏極接觸件電連接至所述n阱和所述掩埋n+區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

源極n+區域，位于所述p阱內；以及

源極p+區域，位于所述p阱內，

其中，所述第一電極電連接至所述源極n+區域和所述源極p+區域，并且所述第一電極通過所述源極n+區域和所述源極p+區域的方式電連接至所述p阱。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

漏極n+區域，位于所述n阱內；

其中，所述第二電極進一步電連接至所述漏極接觸件和所述n阱內的所述漏極n+區域。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

絕緣層，位于所述外延層上方。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述絕緣層是氧化物層。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述柵極位于所述絕緣層內。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二電極包括金屬材料。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二電極包括多晶硅材料。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二電極與所述外延層絕緣。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第二電極通過絕緣層與所述外延層絕緣，所述絕緣層內襯于要形成所述第二電極的開口的一個或多個內壁。

11.一種形成半導體器件的方法，包括：

形成具有襯底上方的埋氧層的絕緣體上硅晶圓；

在所述襯底中的所述埋氧層下面形成掩埋n+區域；

在所述埋氧層上方的所述絕緣體上硅晶圓的外延層中形成p阱、n阱以及介于所述p阱和所述n阱之間的漂移區；

使用第一電極將源極接觸件電連接至所述p阱；

在所述p阱的一部分和所述漂移區的一部分的上方形成柵極；

形成穿過所述n阱和所述埋氧層的開口以露出所述掩埋n+區域；

在所述開口中沉積第二電極；以及

使用所述第二電極將漏極接觸件電連接至所述n阱和所述掩埋n+區域。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述p阱中形成源極n+區域；

在所述p阱中形成源極p+區域；以及

使用所述第一電極將所述源極n+區域和所述源極p+區域電連接至所述源極接觸件，

其中，所述源極接觸件通過所述源極n+區域和所述源極p+區域的方式電連接至所述p阱。

13.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述n阱中形成漏極n+區域；以及

將所述漏極接觸件電連接至所述n阱中的所述n+區域。

14.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述外延層上方形成絕緣層。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述絕緣層是氧化物層。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，所述柵極位于所述絕緣層中。

17.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在要沉積所述第二電極的所述開口的一個或多個內壁上形成第二電極絕緣層，以使所述第二電極與所述外延層絕緣。