[發明專利]促進提高熱傳導性的半導體布置

有效

• 申請號: 201410032858.6
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104637993B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 宋明相;李介文;張伊鋒;林文杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

技術領域

本發明一般地涉及半導體技術領域，更具體地，涉及半導體布置及其制造方法。

背景技術

由于靜電荷的積累，在集成電路附近會產生高電壓。當靜電荷放電時，在集成電路的節點處產生電流，從而導致靜電放電（ESD）。在ESD期間，流過集成電路的電流產生熱量。

發明內容

提供本發明內容，以簡化形式介紹以下具體實施方式中進一步描述的選擇概念。本發明內容既不預期作為所要求保護的主題的廣泛概述、識別所要求保護的主題的關鍵因素或基本特征，也不預期用于限制所要求保護的主題的范圍。

本文提供了用于制造半導體布置的一種或多種技術、以及所形成的結構。

以下說明和附圖闡述了特定示意性方面和實施方式。這些示出了使用一個或多個方面的幾種方式。當結合附圖考慮時，通過以下詳細描述本發明的其他方面、優點、和/或新特征將變得明顯。

為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一方面，提供了一種半導體布置，包括：阱區；第一區域，設置在所述阱區內，所述第一區域包括第一導電類型；第一柵極，在所述第一區域的第一側上設置在所述阱區之上，所述第一柵極包括背離所述阱區的第一頂面，所述第一頂面具有第一頂面積；以及第一柵極接觸件，設置在所述第一柵極之上，所述第一柵極接觸件包括朝向所述阱區的第一底面，所述第一底面具有第一底面積，所述第一底面積覆蓋所述第一頂面積的至少約三分之二。

在該半導體布置中，所述第一柵極接觸件沿著第一柵極軸延伸，所述第一柵極軸基本平行于所述第一柵極延伸的方向。

該半導體布置包括：在所述第一區域的第二側上設置在所述阱區之上的第二柵極，所述第二柵極包括背離所述阱區的第二頂面，所述第二頂面具有第二頂面積。

該半導體布置包括：第二柵極接觸件，設置在所述第二柵極之上，所述第二柵極接觸件包括朝向所述阱區的第二底面，所述第二底面具有第二底面積，所述第二底面積覆蓋所述第二頂面積的至少約三分之二。

該半導體布置包括：設置在所述第一柵極接觸件和所述第二柵極接觸件之間的第一多柵極接觸件。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件包括：朝向所述阱區的第一多柵極底面。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件沿著第一多柵極軸延伸，所述第一多柵極軸基本垂直于所述第一柵極和所述第二柵極中的至少一個延伸的方向。

該半導體布置包括：設置在所述第一區域之上的第一區域接觸件。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件與所述第一區域接觸件接觸。

根據本發明的另一方面，提供了一種半導體布置，包括：阱區；第一區域，設置在所述阱區內，所述第一區域包括第一導電類型；第一柵極，在所述第一區域的第一側設置在所述阱區之上；第二柵極，在所述第一區域的第二側設置在所述阱區之上；以及第一多柵極接觸件，設置在所述第一柵極和所述第二柵極之上并且與所述第一柵極和所述第二柵極接觸。

在該半導體布置中：所述第一柵極包括背離所述阱區的第一頂面，所述第一頂面具有第一頂面積，和/或所述第二柵極包括背離所述阱區的第二頂面，所述第二頂面具有第二頂面積；和/或所述第一多柵極接觸件包括朝向所述阱區的第一多柵極底面，所述第一多柵極底面具有第一多柵極底面積，所述第一多柵極底面積覆蓋所述第一頂面積和所述第二頂面積中的至少一個的至少約五分之一。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件沿著第一多柵極軸延伸，所述第一多柵極軸基本垂直于所述第一柵極和所述第二柵極中的至少一個延伸的方向。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件的第一端設置在所述第一柵極之上并與所述第一柵極接觸，以及所述第一多柵極接觸件的第二端設置在所述第二柵極之上并與所述第二柵極接觸。

該半導體布置，包括：設置在所述第一區域之上的第一區域接觸件。

在該半導體布置中，所述第一多柵極接觸件與所述第一區域接觸件接觸。

根據本發明的又一方面，提供了一種制造半導體布置的方法，包括：形成阱區；在所述阱區內形成包括第一導電類型的第一區域；在所述第一區域的第一側在所述阱區之上形成第一柵極，使得背離所述阱區的所述第一柵極的第一頂面具有第一頂面積；以及在所述第一柵極之上形成第一柵極接觸件，使得朝向所述阱區的所述第一柵極接觸件的第一底面具有第一底面積，所述第一底面積覆蓋所述第一頂面積的至少約三分之二。