[發明專利]促進提高熱傳導性的半導體布置

有效

• 申請號: 201410032858.6
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104637993B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 宋明相;李介文;張伊鋒;林文杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體布置，包括：

阱區；

第一區域，設置在所述阱區內，所述第一區域包括第一導電類型；

第一柵極，在所述第一區域的第一側上設置在所述阱區之上，所述第一柵極包括背離所述阱區的第一頂面，所述第一頂面具有第一頂面積；以及

第一柵極接觸件，設置在所述第一柵極之上，所述第一柵極接觸件包括朝向所述阱區的第一底面，所述第一底面具有第一底面積，所述第一底面積覆蓋所述第一頂面積的至少三分之二；

第一區域接觸件，設置在所述第一區域上方；以及

第一多柵極接觸件與所述第一柵極接觸件和所述第一區域接觸件直接接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體布置，其中，所述第一柵極接觸件沿著第一柵極軸延伸，所述第一柵極軸平行于所述第一柵極延伸的方向。

3.根據權利要求1所述的半導體布置，包括：在所述第一區域的第二側上設置在所述阱區之上的第二柵極，所述第二柵極包括背離所述阱區的第二頂面，所述第二頂面具有第二頂面積。

4.根據權利要求3所述的半導體布置，包括：第二柵極接觸件，設置在所述第二柵極之上，所述第二柵極接觸件包括朝向所述阱區的第二底面，所述第二底面具有第二底面積，所述第二底面積覆蓋所述第二頂面積的至少三分之二。

5.根據權利要求4所述的半導體布置，包括：第一多柵極接觸件與所述第二柵極接觸件直接接觸。

6.根據權利要求5所述的半導體布置，其中，所述第一多柵極接觸件包括：朝向所述阱區的第一多柵極底面。

7.根據權利要求6所述的半導體布置，其中，所述第一多柵極接觸件沿著第一多柵極軸延伸，所述第一多柵極軸垂直于所述第一柵極或所述第二柵極中的至少一個延伸的方向。

8.根據權利要求7所述的半導體布置，其中，所述第一多柵極接觸件包括與所述第一區域接觸件相同的材料。

9.根據權利要求8所述的半導體布置，其中，介電層設置在所述第一柵極接觸件與所述第一區域接觸件之間。

10.一種半導體布置，包括：

阱區；

第一區域，設置在所述阱區內，所述第一區域包括第一導電類型；

第一區域接觸件，設置在所述第一區域之上；

第一柵極，在所述第一區域的第一側設置在所述阱區之上；

第二柵極，在所述第一區域的第二側設置在所述阱區之上；以及

第一多柵極接觸件，設置在所述第一柵極、所述第二柵極和所述第一區域接觸件之上并且與所述第一柵極、所述第二柵極和所述第一區域接觸件接觸，其中，所述第一區域接觸件和所述第一多柵極接觸件提供所述第一區域與所述第一柵極之間的電路徑。

11.根據權利要求10所述的半導體布置，其中：

所述第一柵極包括背離所述阱區的第一頂面，所述第一頂面具有第一頂面積，和/或

所述第二柵極包括背離所述阱區的第二頂面，所述第二頂面具有第二頂面積；和/或

所述第一多柵極接觸件包括朝向所述阱區的第一多柵極底面，所述第一多柵極底面具有第一多柵極底面積，所述第一多柵極底面積覆蓋所述第一頂面積和所述第二頂面積中的至少一個的至少五分之一。

12.根據權利要求11所述的半導體布置，其中，所述第一多柵極接觸件沿著第一多柵極軸延伸，所述第一多柵極軸垂直于所述第一柵極和所述第二柵極中的至少一個延伸的方向。

13.根據權利要求11所述的半導體布置，其中，所述第一多柵極接觸件的第一端設置在所述第一柵極之上，以及所述第一多柵極接觸件的第二端設置在所述第二柵極之上。