[發明專利]一種平面VDMOS環區制造方法和系統

在審

• 申請號: 201410032189.2
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104810285A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種平面VDMOS環區制造方法，其特征在于，包括：

完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注入；

完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。

2.根據權利要求1所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

3.根據權利要求1所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

所述終端環區包括一個或多個終端環。

5.根據權利要求4所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

當所述終端環區包括多個終端環時，所述終端環由內而外的間隔等差增加。

6.一種平面VDMOS環區制造系統，其特征在于，包括：

終端環制造單元，用于完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注入；

截止環制造單元，用于完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。

7.根據權利要求6所述的平面VDMOS環區制造系統，其特征在于：

所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

8.根據權利要求6所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

所述終端環區包括一個或多個終端環。

10.根據權利要求9所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于：

當所述終端環區包括多個終端環時，所述終端環由內而外的間隔等差增加。