[發(fā)明專利]場效應(yīng)管的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410032142.6
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN104810284A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙圣哲;馬萬里
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)，尤其涉及一種場效應(yīng)管的制造方法。

背景技術(shù)

場效應(yīng)管是電壓控制的一種放大器件，是組成數(shù)字集成電路的基本單元，通常分為互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱CMOS）和擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（Double-diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱DMOS）。其中，DMOS器件具有高電流驅(qū)動能力、低導(dǎo)通電阻以及較高的擊穿電壓等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用在集成電路領(lǐng)域中。對應(yīng)的，驅(qū)動電流、導(dǎo)通電阻以及啟動電壓等電性參數(shù)成為影響DMOS器件質(zhì)量的重要因素，是在DMOS器件的制造過程中決定的。

現(xiàn)有的DMOS器件制造過程中，在完成環(huán)區(qū)驅(qū)入后，需要對初始氧化層的表面進行清洗，以去除驅(qū)入過程中殘留的氨水等物質(zhì)，然后再采用化學(xué)氣相淀積法生長溝槽掩膜。但由于對初始氧化層表面進行清洗的過程通常采用去離子水等溶液進行清洗，容易出現(xiàn)清洗不凈或殘留水痕的情況，可能會影響DMOS器件的電性參數(shù)，降低了成品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種場效應(yīng)管的制造方法，用于解決現(xiàn)有的制造方法成品率較低的問題，以提高場效應(yīng)管的制造成品率。

本發(fā)明實施例提供一種場效應(yīng)管的制造方法，包括：

在初始氧化層的表面形成有源區(qū)和環(huán)區(qū)；

在第一設(shè)定溫度和第一設(shè)定含氧量的條件下，在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜；

在所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜上形成溝槽。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜，包括：

在設(shè)定時間內(nèi)，采用爐管工藝在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述第一設(shè)定溫度在900攝氏度至1100攝氏度之間。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述第一設(shè)定溫度為1000攝氏度。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述設(shè)定時間為60分鐘。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述在所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜上形成溝槽，包括：

對所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜進行刻蝕，以去除待形成溝槽的有源區(qū)表面的溝槽掩膜；

在所述待形成溝槽的有源區(qū)表面形成所述溝槽。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，在所述初始氧化層的表面形成環(huán)區(qū)，包括:在第二設(shè)定溫度和第二設(shè)定含氧量的條件下，采用所述爐管工藝在所述初始氧化層的表面形成所述環(huán)區(qū)。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述第一設(shè)定溫度和第二設(shè)定溫度不同；

所述第一設(shè)定含氧量和第二設(shè)定含氧量不同。

如上所述的場效應(yīng)管的制造方法，所述第二設(shè)定溫度為1150攝氏度。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案通過在第一設(shè)定溫度和第一含氧量的條件下，對形成環(huán)區(qū)和有源區(qū)的初始氧化層的表面直接形成溝槽掩膜，由于不采用清洗的步驟，一方面可以避免現(xiàn)有技術(shù)存在的清洗不凈或容易殘留水痕的問題，進而不會影響場效應(yīng)管的電性參數(shù)，提高了成品率；另一方面步驟減少，能夠降低場效應(yīng)管制造工藝的復(fù)雜程度，提高工藝穩(wěn)定性，且也能夠降低制造成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法中形成有源區(qū)和環(huán)區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法中形成溝槽掩膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法中去除待形成溝槽的有源區(qū)表面的溝槽掩膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法中形成溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標記：

1-襯底；????2-外延層；??3-初始氧化層；

4-有源區(qū)；??5-環(huán)區(qū)；????6-溝槽掩膜；

7-溝槽。

具體實施方式

圖1為本發(fā)明實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法的流程圖。如圖1所示，本實施例提供的場效應(yīng)管的制造方法，可以包括：

步驟10、在初始氧化層的表面形成有源區(qū)和環(huán)區(qū)。