[發(fā)明專利]場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410032142.6
• 申請(qǐng)日: 2014-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN104810284A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙圣哲;馬萬里
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，包括：

在初始氧化層的表面形成有源區(qū)和環(huán)區(qū)；

在第一設(shè)定溫度和第一設(shè)定含氧量的條件下，在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜；

在所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜上形成溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜，包括：

在設(shè)定時(shí)間內(nèi)，采用爐管工藝在所述初始氧化層、有源區(qū)和環(huán)區(qū)的表面形成溝槽掩膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述第一設(shè)定溫度在900攝氏度至1100攝氏度之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述第一設(shè)定溫度為1000攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述設(shè)定時(shí)間為60分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述在所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜上形成溝槽，包括：

對(duì)所述有源區(qū)表面的溝槽掩膜進(jìn)行刻蝕，以去除待形成溝槽的有源區(qū)表面的溝槽掩膜；

在所述待形成溝槽的有源區(qū)表面形成所述溝槽。

7.權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，在所述初始氧化層的表面形成環(huán)區(qū)，包括:

在第二設(shè)定溫度和第二設(shè)定含氧量的條件下，采用所述爐管工藝在所述初始氧化層的表面形成所述環(huán)區(qū)。

8.權(quán)利要求7所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于：

所述第一設(shè)定溫度和第二設(shè)定溫度不同；

所述第一設(shè)定含氧量和第二設(shè)定含氧量不同。

9.權(quán)利要求8所述的場(chǎng)效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，所述第二設(shè)定溫度為1150攝氏度。