[發(fā)明專利]一種硅基襯底擴散片的清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410031525.1 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103779256A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田迎新;鄭偉;劉俊飛;段學穎 | 申請(專利權(quán))人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/10 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務所 13120 | 代理人: | 張二群 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 襯底 擴散 清洗 方法 | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明屬于半導體器件的處理方法。
背景技術(shù)
太陽能光伏技術(shù)飛速發(fā)展,應用于制造組件的電池片制作技術(shù)也不斷更新。在電池片制作環(huán)節(jié)需要將硅基裸片經(jīng)過某種工藝將硼元素或磷元素擴散到裸片表面,這種硅片表面含磷或硼的量非常高,在這一環(huán)節(jié)產(chǎn)生的不合格品稱為報廢擴散片。
長期以來沒有一種最佳的工藝將此種擴散片進行回收,致使大量這種廢料堆積庫房不能應用。硅料成本在太陽能電池的成本中一種居高不下,為節(jié)約成本,必須把這些硅基襯底擴散片回收再利用,而在再利用之前首先應該將這些擴散片清洗干凈。
傳統(tǒng)清洗擴散片的方法為:
第一步,將擴散片浸泡于混酸溶液中30~60分鐘;
第二步,將第一步擴散片放入NaOH溶液中加熱45~60分鐘;
第三步:將第二步擴散片在超聲波槽中清洗30~60分鐘;
第四步,將第三步擴散片甩干放入烘箱中徹底烘干。
使用傳統(tǒng)方法清洗擴散片的缺點在于:
1、擴散片由于表面光滑,經(jīng)常粘在一起,粘接面不容易清洗干凈。
2、擴散片在經(jīng)過混酸浸泡時,由于混酸溶液中的氫氟酸會有一部分揮發(fā),造成混酸比例失衡,將會出現(xiàn)氧化斑點,在堿腐蝕時,并不能去除這些斑點,造成清洗合格率較低。
3、由于雙面擴散和單面擴散存在著差異,而且N型擴散片和P型擴散片在腐蝕時反應速率不同,致使經(jīng)過混酸浸泡和堿腐蝕之后不能將擴散層去除干凈,還會有部分殘留。
傳統(tǒng)清洗擴散片的方法工藝復雜,需要將擴散片在各工序間來回的轉(zhuǎn)運,浪費時間和人力,處理成本高,?而且擴散片清洗合格率低,分選困難,一旦未清洗干凈的擴散片混入合格品中,會造成嚴重的質(zhì)量事故,輕則產(chǎn)生個別電阻率偏低硅錠,重則產(chǎn)生批量低電阻率硅錠。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種硅基襯底擴散片的清洗方法,該方法不僅可將擴散片表面清洗干凈光滑,解決粘接面不容易清洗干凈的問題,提高了擴散片的清洗合格率,此外還可解決擴散片被氧化的問題,進而節(jié)約成本,降低工人的勞動強度。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:1、一種硅基襯底擴散片的清洗方法,包括如下步驟:
第一步、將需要清洗的硅基襯底擴散片浸泡到HF+HNO3混合的第一混合液中,持續(xù)時間約30~45分鐘,第一混合液中兩種酸的體積混合比例為HF:HNO3=20~25:1;
第二步、將上述浸泡完的擴散片取出再浸泡到HF+HNO3混合的第二混合液中,持續(xù)時間為5~10分鐘,第二混合液中兩種酸的體積混合比例為HF:HNO3=1:20~30;
第三步、將從第二步反應后的擴散片放入電導率為14兆~16兆的純水中進行溢流漂洗,并加入壓縮空氣進行鼓泡,以便于片中存留的酸溶液漂洗干凈,漂洗到純水的PH值為7;
第四步、烘干擴散片;
在上述步驟中HF的酸濃度為40%±2%,HNO3的酸濃度為65%±4%。
所述第一混合液中兩種酸的體積混合比例為:HF:HNO3=20~23:1。
所述第二混合液中兩種酸的體積混合比例為:HF:HNO3=1:28~30。
上述步驟在常溫狀態(tài)下進行。
當?shù)谝徊交虻诙街挟a(chǎn)生的NO2影響操作時,在相應步驟中的第一混合酸或第二混合酸中加入水。
所述第四步的具體操作方法為:將漂洗干凈的擴散片放在托盤上平鋪開推入烘箱,升溫到90-100℃,進行烘干。
本發(fā)明的技術(shù)方案的優(yōu)點為:
1、在第一步使用混合酸清洗時,化學反應比較劇烈,生成的NO2和放出的大量熱量使擴散片在酸液中翻騰,解決了擴散片由于表面光滑、經(jīng)常幾片粘在一起而導致的粘接面不容易清洗干凈的問題;
2、第二步混合酸的引入,去除了擴散片在第一步時造成的氧化,同時為徹底去除擴散層提供有力保證;
3、省略了堿腐蝕和超聲波步驟,節(jié)約了清洗成本,降低了工人的勞動強度。
使用本方案清洗的擴散片能完全規(guī)避傳統(tǒng)清洗方案中粘接面不易清洗、表面被氧化上述兩個缺點,將現(xiàn)有清洗技術(shù)的清洗合格率從80%提高到95%以上,甚至可達98%以上。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的流程圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





