[發明專利]一種硅基襯底擴散片的清洗方法有效
| 申請號: | 201410031525.1 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103779256A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 田迎新;鄭偉;劉俊飛;段學穎 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/10 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人: | 張二群 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 襯底 擴散 清洗 方法 | ||
1.一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于包括如下步驟:
第一步、將需要清洗的硅基襯底擴散片浸泡到HF+HNO3混合的第一混合液中,持續時間約30~45分鐘,第一混合液中兩種酸的體積混合比例為HF:HNO3=20~25:1;
第二步、將上述浸泡完的擴散片取出再浸泡到HF+HNO3混合的第二混合液中,持續時間為5~10分鐘,第二混合液中兩種酸的體積混合比例為HF:HNO3=1:20~30;
第三步、將從第二步反應后的擴散片放入電導率為14兆~16兆的純水中進行溢流漂洗,并加入壓縮空氣進行鼓泡,以便于片中存留的酸溶液漂洗干凈,漂洗到純水的PH值為7;
第四步、烘干擴散片;
在上述步驟中HF的酸濃度為40%±2%,HNO3的酸濃度為65%±4%。
2.根據權利要求1所述的一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于所述第一混合液中兩種酸的體積混合比例為:HF:HNO3=20~23:1。
3.根據權利要求1所述的一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于所述第二混合液中兩種酸的體積混合比例為:HF:HNO3=1:28~30。
4.根據權利要求1所述的一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于上述步驟在常溫狀態下進行。
5.根據權利要求1所述的一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于當第一步或第二步中產生的NO2影響操作時,在相應步驟中的第一混合酸或第二混合酸中加入水。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的一種硅基襯底擴散片的清洗方法,其特征在于所述第四步的具體操作方法為:將漂洗干凈的擴散片放在托盤上平鋪開推入烘箱,升溫到90-100℃,進行烘干。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





