[發明專利]用于使用半導體工藝產生多個半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201410031282.1
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN103972166B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·納薩爾;金成龍;史蒂文·萊比格爾;詹姆斯·霍爾
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林彥

本申請案涉及一種用于使用半導體工藝產生多個半導體裝置的方法。在一個一般方面中，一種方法可包含在包含于半導體裝置中的橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS裝置的一部分中及電阻器裝置的一部分中同時植入第一摻雜劑。所述方法還可包含在所述半導體裝置中的所述LDMOS裝置的一部分中及雙極結型晶體管BJT裝置的一部分中同時植入第二摻雜劑。

技術領域

本說明涉及使用半導體工藝產生多個半導體裝置。

背景技術

在典型的半導體工藝中，使用多個互斥工藝步驟來產生單獨半導體裝置。舉例來說，通常使用專用光刻、掩蔽及離子植入工藝步驟來在半導體工藝內產生多晶硅電阻器。作為另一實例，可針對在半導體工藝中產生雙極結型晶體管來專門調整專用光刻、掩蔽及離子植入工藝步驟。這些專用工藝步驟可增加個別晶片的成本及循環時間達5％或5％以上，此可在產品毛利及產能兩方面尤其顯著。因此，需要用以解決當前技術的不足且提供其它新且創新特征的系統、方法及設備。

發明內容

在一個一般方面中，一種方法可包含在橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)裝置的一部分中且在包含于半導體裝置中的電阻器裝置的一部分中同時植入第一摻雜劑。所述方法還可包含在所述LDMOS裝置的一部分中且在所述半導體裝置中的雙極結型晶體管(BJT)裝置的一部分中同時植入第二摻雜劑。

在隨附圖式及下文說明中陳述一個或一個以上實施方案的細節。依據說明及圖式且依據權利要求書，將明了其它特征。

附圖說明

圖1是圖解說明根據實施例的多晶硅電阻器的側視截面圖的框圖。

圖2是圖解說明多晶硅電阻器的掩模層級俯視圖的圖式。

圖3是根據實施例的雙極結型晶體管(BJT)裝置的側視截面圖。

圖4是圖解說明圖3中展示的BJT裝置的摻雜劑分布曲線比較的圖表。

圖5是根據實施例的另一BJT裝置的側視截面圖。

圖6A是圖解說明圖5中展示的BJT裝置的摻雜劑分布曲線比較的圖表。

圖6B是圖解說明類似于圖5中展示的BJT裝置的BJT裝置的摻雜劑分布曲線比較的另一圖表。

圖7A到7M是圖解說明半導體工藝中的至少一些工藝步驟的截面圖的圖式。

圖8是圖解說明與BJT裝置的電參數相關的表的圖式。

圖9是圖解說明形成BJT裝置的方法的流程圖。

圖10是圖解說明形成電阻器裝置的方法的流程圖。

圖11是圖解說明形成電阻器裝置及BJT裝置的方法的流程圖。

圖12是圖解說明NPN裝置、P型橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)裝置及電阻器裝置的圖式。

具體實施方式