[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410031140.5
• 申請(qǐng)日: 2014-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN104183628A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杉浦政幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/08
• 分類號(hào): H01L29/08;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

柵電極，由以第1間隔并列配置的多個(gè)第1部分、和連接所述多個(gè)第1部分的第2部分構(gòu)成，隔著柵極絕緣膜地設(shè)置；

源極區(qū)域以及漏極區(qū)域，設(shè)置于所述多個(gè)第1部分之間；

體接觸區(qū)域，相對(duì)所述第2部分配置于與所述源極區(qū)域以及漏極區(qū)域相反的一側(cè)；以及

體偏置控制電極，與所述第2部分并列，且設(shè)置于所述體接觸區(qū)域上，與所述第2部分之間的第2間隔大于所述第1間隔，與所述體接觸區(qū)域連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在由硅基板、埋入氧化膜、以及體區(qū)域構(gòu)成的SOI基板的所述體區(qū)域形成有元件形成區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述體接觸區(qū)域是與所述體區(qū)域相同的導(dǎo)電類型，所述體接觸區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述體區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述體接觸區(qū)域是與所述體區(qū)域相反的導(dǎo)電類型，所述體接觸區(qū)域的雜質(zhì)濃度高于所述體區(qū)域，所述體接觸區(qū)域與所述體區(qū)域一起形成PN二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述體接觸區(qū)域通過所述體區(qū)域分離為第1體接觸區(qū)域以及第2體接觸區(qū)域，所述第1體接觸區(qū)域與所述第2部分鄰接，在與所述第2部分并列并相離的所述第2體接觸區(qū)域上設(shè)置所述體偏置控制電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在第1體接觸區(qū)域以及第2體接觸區(qū)域之間的所述體區(qū)域上隔著所述柵極絕緣膜設(shè)置第1控制電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述體接觸區(qū)域是與所述體區(qū)域相反的導(dǎo)電類型，并通過雜質(zhì)濃度比所述體接觸區(qū)域低并且導(dǎo)電類型與所述體接觸區(qū)域相同的半導(dǎo)體層，分離為第1體接觸區(qū)域以及第2體接觸區(qū)域，所述第1體接觸區(qū)域與所述第2部分鄰接，在與所述第2部分并列并相離的所述第2體接觸區(qū)域上設(shè)置所述體偏置控制電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第2間隔比所述第1間隔大2倍以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置被應(yīng)用于高頻半導(dǎo)體開關(guān)。