[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 201410030436.5
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN103962728B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 森數洋司;武田昇
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,蔡麗娜

技術領域

本發明涉及在半導體晶片或光器件晶片等被加工物的內部沿著加工線實施激光加工的激光加工方法。

背景技術

如本領域人員所周知，在半導體器件制造過程中，形成這樣的半導體晶片：在硅等基板的表面利用層疊絕緣膜和功能膜而成的功能層，將多個IC、LSI等器件形成為矩陣狀。這樣形成的半導體晶片的上述器件被稱為間隔道的加工線劃分開來，通過沿著該間隔道進行分割而制造出一個個半導體器件。

并且，在光器件制造工序中，在藍寶石基板或碳化硅基板的表面層疊由n型氮化物半導體層和p型氮化物半導體層構成的光器件層，在由呈格子狀形成的多個間隔道劃分出的多個區域形成發光二極管、激光二極管等光器件，從而構成光器件晶片。然后，通過將光器件晶片沿著間隔道切斷，對形成有光器件的區域進行分割來制造出一個個光器件。

作為分割上述的半導體晶片或光器件晶片等被加工物的方法，還嘗試了這樣的激光加工方法：使用對于該被加工物具有透射性的波長的脈沖激光光線，將聚光點對準應分割的區域的內部來照射脈沖激光光線。使用該激光加工方法的分割方法是這樣的技術：從被加工物的一個面側將聚光點對準內部來照射對于被加工物具有透射性的波長的脈沖激光光線，在被加工物的內部沿著間隔道連續地形成改性層，通過沿著由于形成有該改性層而使強度下降的間隔道施加外力，來分割被加工物。（例如，參照專利文獻1。）

并且，作為將半導體晶片或光器件晶片等被加工物沿著間隔道進行分割的方法，以下的技術得到實用化：通過沿著間隔道照射對于該被加工物具有吸收性的波長的脈沖激光光線，實來施燒蝕加工，從而形成激光加工槽，通過沿著形成有成為斷裂起點的該激光加工槽的間隔道賦予外力來進行斷裂。（例如，參照專利文獻2。）

現有技術文獻

專利文獻1：日本特許第3408805號公報

專利文獻2；日本特開平10－305420號公報

然而，為了將激光光線的聚光點定位在晶片的內部來形成改性層，需要使用數值孔徑（NA）是0.8左右的聚光鏡，為了將例如厚度是300μm的晶片分割為一個個器件，必須多層重疊地形成改性層，存在生產性差的問題。

并且，當照射對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光線時，在晶片的被照射激光光線的照射面附近實施燒蝕加工，能量不會浸透到晶片的內部，因而必須沿著間隔道多次照射脈沖激光光線，存在生產性差的問題。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，本發明的主要的技術課題是提供一種激光加工方法，其通過沿著被加工物的加工線照射2次脈沖激光光線，來將被加工物加工成能夠沿著加工線斷裂的狀態。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供了一種激光加工方法，其用于對被加工物照射激光光線來實施激光加工，所述激光加工方法的特征在于，所述激光加工方法包括：

細絲形成工序，對被加工物照射對于被加工物具有透射性的波長的脈沖激光光線，從被加工物的被照射脈沖激光光線的面向內部形成折射率比被加工物的折射率高的細絲作為光傳送路；和

激光加工工序，向該細絲照射對實施了該細絲形成工序的被加工物實施加工的脈沖激光光線，沿著該細絲傳送該脈沖激光光線，由此來實施加工。

在所述細絲形成工序中照射的脈沖激光光線的聚光點被定位在從被加工物的被照射脈沖激光光線的面略微靠向內部的位置。

并且，對在上述細絲形成工序中照射的脈沖激光光線進行會聚的聚光鏡的數值孔徑被設定為0.2～0.3。

并且，所述細絲形成工序中，沿著加工線以規定的間隔照射脈沖激光光線，沿著加工線形成多個細絲。

并且，在所述激光加工工序中照射的脈沖激光光線沿著細絲被引導到內部并形成破壞層。

本發明的激光加工方法包括：細絲形成工序，其對被加工物照射對于被加工物具有透射性的波長的脈沖激光光線，從被加工物的被照射脈沖激光光線的面（上表面）向內部形成折射率比被加工物的折射率高的細絲作為光傳送路；和激光加工工序，向該細絲照射對實施了該細絲形成工序的被加工物實施加工的脈沖激光光線，沿著該細絲傳送該脈沖激光光線，由此來實施加工，因此，在激光加工工序中照射的脈沖激光光線以在細絲形成工序中形成的折射率比被加工物的折射率高的細絲作為光傳送路而被引導，能夠從被加工物的上表面加工到下表面，因而即使被加工物的厚度厚，也只要進行細絲形成工序和激光加工工序這2次照射即可，因而生產性極好。

附圖說明

圖1是作為使用本發明的激光加工方法加工的被加工物的光器件晶片的立體圖。