[發明專利]半導體結構與其制作方法

有效

• 申請號: 201410028783.4
• 申請日: 2014-01-22
• 公開（公告）號: CN104795394B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 曹博昭;黃耀宏;林建廷;魏銘德
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構的制作方法，至少包含有以下步驟：

提供一基底，該基底上覆蓋有一介電層，且該基底上定義有一第一元件區以及一第二元件區；

形成至少一第一凹槽位于該第一元件區內的該介電層中，至少一第二凹槽以及至少一第三凹槽位于該第二元件區內的該介電層中；

形成一第一功函數層，覆蓋于該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽內；

形成多個一第一材料層于該第一凹槽、該第二凹槽與該第三凹槽內，其中該第一材料層覆蓋部分該第一凹槽以及該第二凹槽側壁上的該第一功函數層，而完整覆蓋該第三凹槽內的該第一功函數金屬層；

在該一第一材料層形成后，形成一第二材料層，填滿該第一凹槽與該第二凹槽，其中該第一材料層與該第二材料層具有不同的蝕刻選擇比；

去除該第一凹槽內的該第一材料層以及該第二材料層；

去除該第二凹槽內的該第二材料層；以及

完全去除該第一凹槽內的該第一功函數層，并去除該第二凹槽內的部分該第一功函數層。

2.如權利要求1所述的方法，還包括形成一高介電常數層于該第一凹槽、該第二凹槽以及該第三凹槽內。

3.如權利要求1所述的方法，在該第二凹槽內的部分該第一功函數層被去除后，還包括移除該第三凹槽內剩余的該第一材料層，并形成一第二功函數層以及一導體層于該第一凹槽、該第二凹槽以及該第三凹槽內。

4.如權利要求3所述的方法，在該第二功函數層與該導體層形成之后，還包括進行一平坦化步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其中該第一材料層包括有機硅氧烷。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第二材料層包括聚合物。

7.如權利要求1所述的方法，其中該第三凹槽的一底部比該第二凹槽的一底部寬。