[發明專利]LED燈條的制作方法及該LED燈條

有效

• 申請號: 201410028696.9
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103836425A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 羅長誠;黃沖;王燁文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: F21S4/00
• 分類號: F21S4/00;F21V29/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種LED燈條的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供金屬基材（20）及數個LED燈（40）；

步驟2、在金屬基材（20）上形成石墨烯層（60），該石墨烯層（60）對應LED燈（40）設有鏤空部（62）；

步驟3、將LED燈（40）于鏤空部（62）處安裝于金屬基材（20）上；

步驟4、在鏤空部（62）處形成硅膠層（80）。

2.如權利要求1所述的LED燈條的制作方法，其特征在于，所述金屬基材（20）為薄銅基材、薄鋁基材、薄鎳基材或薄釕基材。

3.如權利要求2所述的LED燈條的制作方法，其特征在于，所述石墨烯層（60）通過化學氣相沉積的方式形成于金屬基材（20）上。

4.如權利要求3所述的LED燈條的制作方法，其特征在于，所述金屬基材（20）為薄銅基材，所述化學氣相沉積以烴類為碳源氣體，以氫氣或氬氣為載氣，在500-1050℃、10Pa-5kPa的環境下進行。

5.如權利要求4所述的LED燈條的制作方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烯、乙炔其中之一或其混合氣體。

6.如權利要求1所述的LED燈條的制作方法，其特征在于，所述石墨烯層（60）的厚度為0.35nm-50nm；所述硅膠層（80）的厚度為10μm-3mm。

7.一種LED燈條，其特征在于，包括：基板（200）及安裝于基板（200）上的LED燈（40），所述基板（200）包括金屬基材（20）、形成于金屬基材（20）上的石墨烯層（60）及形成于金屬基材（20）上的硅膠層（80），所述石墨烯層（60）上對應LED燈（40）設有鏤空部（62），所述LED燈（40）于該鏤空部（62）處安裝于金屬基材（20）上，所述硅膠層（80）形成于所述鏤空部（62）處。

8.如權利要求7所述的LED燈條，其特征在于，所述金屬基材（20）為薄銅基材、薄鋁基材、薄鎳基材或薄釕基材；所述石墨烯層（60）通過化學氣相沉積的方式形成于金屬基材（20）上；所述石墨烯層（60）的厚度為0.35nm-50nm；所述硅膠層（80）的厚度為10μm-3mm。

9.如權利要求8所述的LED燈條，其特征在于，所述金屬基材（20）為薄銅基材，所述化學氣相沉積以烴類為碳源氣體，以氫氣或氬氣為載氣，在500-1050℃、10Pa-5kPa的環境下進行。

10.如權利要求9所述的LED燈條，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烯、乙炔其中之一或其混合氣體。