[發明專利]顯示單元及其制造方法和電子設備

在審

• 申請號: 201410028412.6
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103972263A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 永澤耕一;藤岡弘文;佐藤友基;西川智孝
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年1月28日提交的日本在先專利申請JP2013-13555的權益，其全部內容通過引用的方式并入本文。

技術領域

本技術涉及一種具有設有例如薄膜晶體管（TFT）的半導體層的顯示單元及其制造方法，和包括該顯示單元的電子設備。

背景技術

顯示單元（諸如有機電致發光（EL）顯示單元）是輝度由有機發光二極管中流動的電流控制的顯示裝置。因此，在這樣的顯示單元中，存在的缺點是通常用作開關元件的低溫多晶硅TFT的特性的不均勻性很容易被表現為顯示不均勻。

為了解決上述缺點，在近年來的有機EL顯示單元中，已經報告了通過設計驅動電路來提高顯示性能從而解決TFT的特性的不均勻的方法。與此相反，出于諸如以下原因，例如，與液晶顯示單元相比，在有機EL顯示單元中所使用的TFT的數量和其中所使用的配線電路的數量增加，電容器的面積增加，由此，有機EL顯示單元的電路復雜化。因此，在有機EL顯示單元中，存在的缺點是布局空間密集，短路故障的數量增加，且產量降低。

由于干法蝕刻形成比較厚的配線層以便減少電阻從而引入灰塵導致短路故障。因此，例如，如在日本未經審查的專利申請特開H09-127555號中所描述的，已經公開了使用濕法蝕刻的方法作為配線層的加工技術。

發明內容

配線層也用作用于與外部電路（諸如柔性印刷電路）連接的端子部，并通過安裝構件連接到外部電路。然而，由于直到層壓安裝構件為止，配線層被暴露為端子部的最上表面，所以存在的缺點是，在其它濕法蝕刻步驟（諸如加工顯示元件的像素電極的步驟）中配線層被破壞，從而導致顯示性能的變化。

期望提供一種能夠抑制顯示性能變化的顯示單元及其制造方法，和電子設備。

根據本技術的實施方式，提供了一種顯示單元，包括：顯示層，包括像素電極；半導體層，設置在顯示層下方的層中，半導體層包括配線層，配線層包括可由蝕刻劑移除的材料，像素電極也能由蝕刻劑移除；以及端子部，被配置為將半導體層電連接到外部電路，端子部包括由與配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。

根據本技術的實施方式，提供了一種制造顯示單元的方法，該方法包括：（A）在基板上的半導體層中形成配線層，以及在端子部中形成第一導電層，第一導電層由與配線層的材料相同的材料制成；（B）在半導體層和第一導電層上形成作為連續膜的像素電極，像素電極構成顯示層，且像素電極由能夠被蝕刻劑移除的材料制成，配線層也能由蝕刻劑移除；以及（C）移除第一導電層上的部分或全部像素電極以形成端子部。

根據本技術的實施方式，提供了一種具有顯示單元的電子設備，顯示單元包括：顯示層，包括像素電極；半導體層，設置在顯示層下方的層中，半導體層包括配線層，該配線層包括由蝕刻劑能夠移除的材料，像素電極也可由該蝕刻劑移除；以及端子部，被配置為將半導體層電連接到外部電路，端子部包括由與配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。

在根據本技術的上述實施方式的顯示單元、及其制造方法和電子設備中，配線層和像素電極由可被相同的蝕刻劑移除的材料形成。端子部包括至少形成在與形成配線層的步驟相同的步驟中形成的第一導電層。在形成端子部的步驟中，成為像素電極的金屬膜形成在第一導電層上，且隨后移除第一導電層上的部分或全部金屬膜。因此，減少了由于構成端子部的導電層的蝕刻而引起的損壞。

根據本技術的上述實施方式的顯示單元、及其制造方法和電子設備，構成端子部的導電層（第一導電層）形成在與其中形成配線層的步驟相同的步驟中，要成為顯示層的像素電極的金屬膜形成在導電層上，且隨后移除部分或全部金屬膜。因此，減少了由于端子部的蝕刻而引起的損壞，且抑制了顯示性能的變化。因此，提供了高可靠的電子設備。

應理解，前面的一般描述和下面的詳細描述兩者都是示例性的，且旨在提供所要求保護的技術的進一步解釋。

附圖說明

附圖被包括在內以提供對本公開內容的進一步理解，并且被并入并構成本說明書的一部分。附圖示出實施方式，并與說明書一起用于解釋本技術的原理。

圖1是示出顯示單元的配置的示圖。

圖2示出圖1中所示的像素驅動電路的實例的示圖。

圖3A是示出根據本公開內容的第一實施方式的顯示單元的配置的平面示圖。

圖3B是圖3A中所示的顯示單元的橫截面示圖。

圖4A是示出按步驟制造圖3A和圖3B中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。

圖4B是示出圖4A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。