[發明專利]顯示單元及其制造方法和電子設備

在審

• 申請號: 201410028412.6
• 申請日: 2014-01-21
• 公開（公告）號: CN103972263A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 永澤耕一;藤岡弘文;佐藤友基;西川智孝
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種顯示單元，包括：

顯示層，包括像素電極；

半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及

端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。

2.根據權利要求1所述的顯示單元，其中：

所述半導體層包括柵電極和源-漏電極對，以及

所述端子部由與所述柵電極和所述源-漏電極對之一的材料相同的材料制成的所述第一導電層構成。

3.根據權利要求2所述的顯示單元，其中：

所述半導體層包括多層配線層，以及

所述端子部由與構成所述多層配線層的金屬膜的材料相同的材料制成的所述第一導電層構成。

4.根據權利要求3所述的顯示單元，其中，所述端子部由所述第一導電層和包括所述第一導電層和第二導電層的層壓結構之一構成，所述第一導電層由與所述柵電極的材料、所述源-漏電極對的材料、和所述金屬膜的材料中的至少一種相同的材料制成，所述第二導電層包括構成所述像素電極的材料。

5.根據權利要求4所述的顯示單元，其中：

所述像素電極和所述端子部中的所述第二導電層中的每個都具有包括透明電極膜和反射電極膜的層壓結構，以及

構成所述端子部的所述第二導電層中的所述透明電極膜包括開口。

6.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部至少在所述端子部的兩端具有保護膜。

7.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述蝕刻劑是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氫氟酸-硝酸基水溶液、和氨-氫過氧化物基水溶液之一。

8.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鋁（Al）、銀（Ag）、和鉬（Mo）中的一種或多種。

9.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鉭（Ta）和鎢（W）中的一種或兩種。

10.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鈦（Ti）、氮化鈦（TiN）、和銅（Cu）中的一種或多種。

11.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述像素電極和所述配線層之一或兩者具有以下配置：在所述配置中，層壓具有不同蝕刻特性的層。

12.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述像素電極具有以下配置：在所述配置中，層壓鋁（Al）和鋁合金之一以及氧化銦錫（ITO）。

13.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述配線層具有Ti層、Al層和Ti層依次層壓的層壓結構。

14.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述半導體層依次包括柵電極、半導體膜、和源-漏電極對，或者依次包括半導體膜、柵電極、和源-漏電極對。

15.根據權利要求4所述的顯示單元，其中，所述第二導電層層壓在所述第一導電層上。

16.一種顯示單元的制造方法，所述方法包括：

在基板上的半導體層中形成配線層，并且在端子部中形成第一導電層，所述第一導電層由與所述配線層的材料相同的材料制成；

在所述半導體層和所述第一導電層上形成作為連續膜的像素電極，所述像素電極構成顯示層，且所述像素電極由能夠被蝕刻劑移除的材料制成，所述配線層也能夠被所述蝕刻劑移除；以及

移除所述第一導電層上的部分或全部所述像素電極以形成所述端子部。

17.根據權利要求16所述的方法，還包括：在所述配線層和所述第一導電層的形成與所述像素電極的形成之間，

在所述配線層和所述第一導電層上形成作為連續膜的保護膜；以及

移除所述配線層上的所述保護膜。

18.根據權利要求16所述的方法，其中，在所述第一導電層上形成所述像素電極作為第二導電層，且隨后移除部分或全部所述像素電極。

19.根據權利要求18所述的方法，其中：

所述像素電極由反射電極膜和透明電極膜構成，以及

所述第二導電層是通過從所述像素電極中移除部分或全部所述透明電極形成的。

20.一種具有顯示單元的電子設備，所述顯示單元包括：

顯示層，包括像素電極；

半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及

端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。