[發明專利]花葉山菅蘭的組織培養方法

有效

• 申請號: 201410024947.6
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN103749304A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 陳建華;黃建榮;沈勤
• 申請（專利權）人: 上海上房園藝有限公司;上海上房園林植物研究所有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

(1)取花葉山菅蘭從基部萌發的小芽，沖洗干凈后依次用75v／v％的乙醇浸泡30s、1wt‰升汞浸泡15min、無菌水沖洗5-6次，吸干表面水份后取小芽基部切成1cm長，接種于小芽誘導培養基上，該培養基上的營養成分為MS+6-BA1.0-5.0mg／L+NAA0.1-0.5mg／L，控制培養溫度為24-30℃，光照為70-100μmol／ms，進行芽誘導培養；

(2)小芽接種于小芽誘導培養基上4周后開始膨大并出現黃綠色突起，2周后可見明顯的愈傷組織，繼續培養1個月，切下帶芽愈傷組織分別放入增殖培養基中，該培養基的營養成分為MS+6-BA1.0-3.0mg／L-+NAA0.1-0.3mg／L，控制培養溫度為24-30℃，光照為70-100μmol／ms，進行增殖培養；

(3)誘導出的叢生芽每叢有2-3株可以伸長，其余處于矮化狀態，分成小叢或單芽后放入壯苗培養基中，該培養基的營養成分為MS+6-BA0.5-2.0mg／L+NAA0.1-0.2mg／L上，控制培養溫度為24-30℃，光照為70-100μmol／ms，進行壯苗培養，不定芽迅速伸長，30天后長到2-3cm；

(4)取2-3cm的小植株轉接入生根培養基中誘導生根，該培養基的營養成分為MS+NAA0.1-1.0mg／L，控制培養溫度為24-30℃，光照為70-100μmol／ms，20天后幼苗基部分化出許多白色的根原基，30天后長至2-3cm；

(5)生根培養30天，根系長至1-2cm，選擇根系發達生長健壯的無菌苗，室內開瓶煉苗3天，取出后洗凈根部瓊脂，在溫室中馴化40天后，即可移栽室外。

2.根據權利要求1所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的小芽誘導培養基的營養成分優選MS+6-BA1.0mg／L+NAA0.1mg／L，MS+6-BA3.0mg／L+NAA0.3mg／L或MS+6-BA5.0mg／L+NAA0.5mg／L。

3.根據權利要求2所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的小芽誘導培養基的營養成分優選MS+6-BA3.0mg／L+NAA0.3mg／L。

4.根據權利要求1所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的增殖培養基的營養成分優選MS+6-BA1mg／L-+NAA0.1mg／L，MS+6-BA2mg／L+NAA0.2mg／L或MS+6-BA3mg／L+NAA0.3mg／L。

5.根據權利要求4所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的增殖培養基的營養成分優選MS+6-BA2mg／L+NAA0.2mg／L。

6.根據權利要求1所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的壯苗培養基的營養成分優選MS+6-BA0.5mg／L+NAA0.1mg／L，MS+6-BA1.0mg／L+NAA0.1mg／L或MS+6-BA2mg／L+NAA0.2mg／L。

7.根據權利要求6所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的壯苗培養基的營養成分優選MS+6-BA1.0mg／L+NAA0.1mg／L。

8.根據權利要求1所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的生根培養基的營養成分優選MS+NAA0.1mg／L，MS+NAA0.5mg／L或MS+NAA1mg／L。

9.根據權利要求8所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，所述的生根培養基的營養成分優選MS+NAA0.5mg／L。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的花葉山菅蘭的組織培養方法，其特征在于，小芽誘導培養基、增殖培養基、壯苗培養基、生根培養基還包括基本成分，該基本成分包括蔗糖30g／L、瓊脂6g／L，上述培養基的pH值控制在5.8。