[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410024925.X
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN104795330B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘匯才;羅軍;朱慧瓏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/78;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在SOI襯底上形成沿第一方向延伸的多條鰭線，其中SOI襯底包括支撐襯底、埋入絕緣層和SOI層，且在形成鰭線之后留有一定厚度的SOI層在埋入絕緣層上各鰭線之間延伸，從而各鰭線通過留下的SOI層而彼此在物理上連接在一起，且鰭線的頂面高于留下的SOI層的頂面；

在襯底上形成沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個柵極線，每一柵極線經(jīng)由柵介質(zhì)層與相應(yīng)的鰭線相交；

在柵極線的側(cè)壁上形成電介質(zhì)側(cè)墻；

在SOI層以及鰭線未被柵極線和側(cè)墻覆蓋的表面上外延生長半導(dǎo)體層；以及

在預(yù)定區(qū)域處，形成器件間絕緣隔離部，其中至少一條柵極線被相應(yīng)的絕緣隔離部分為兩個或更多部分，且至少一條鰭線被相應(yīng)的絕緣隔離部分為兩個或更多部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成鰭線包括：

對SOI層進行刻蝕，其中，各鰭線之間的SOI層沒有刻斷，而是留有所述一定厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：對外延半導(dǎo)體層進行平坦化處理，直至露出側(cè)墻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成器件間絕緣隔離部包括：在所述預(yù)定區(qū)域處刻蝕出空隙，其中刻蝕停止于埋入絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：在所述空隙處填充電介質(zhì)材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成器件間隔離部包括：將所述預(yù)定區(qū)域處存在的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榻^緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)變包括：向預(yù)定區(qū)域注入氧。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

SOI襯底，包括支撐襯底、埋入絕緣層和SOI層；

在SOI襯底上形成的沿第一方向延伸的多個鰭，其中各鰭之間存在一定厚度的SOI層在埋入絕緣層上延伸，鰭的頂面高于各鰭之間存在的SOI層的頂面；

在SOI襯底上形成的沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個柵電極，每一柵電極經(jīng)由柵介質(zhì)層與相應(yīng)的鰭相交；

在柵電極的沿第二方向延伸的側(cè)壁上形成的電介質(zhì)側(cè)墻；

在鰭以及SOI層的未被柵極線和側(cè)墻覆蓋的表面上形成的外延半導(dǎo)體層，該外延半導(dǎo)體層填充各鰭之間以及各柵電極之間的空間；以及

絕緣隔離部，所述絕緣隔離部將沿第二方向相對的柵電極彼此隔離，且將沿第一方向相對的鰭彼此隔離，

其中，柵介質(zhì)層的所有部分均位于各鰭之間存在的SOI層的頂面上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，在沿第二方向相對的兩個柵電極之間，相應(yīng)的絕緣隔離部與這兩個柵電極的側(cè)面直接接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，沿第二方向?qū)?zhǔn)的多個柵電極各自的電介質(zhì)側(cè)墻沿第二方向彼此連續(xù)。