[發明專利]電子發射裝置及電子發射顯示器有效

申請號：	201410024369.6	申請日：	2014-01-20
公開（公告）號：	CN104795294B	公開（公告）日：	2017-05-31
發明（設計）人：	柳鵬;李德杰;張春海;周段亮;杜秉初;范守善	申請（專利權）人：	清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
主分類號：	H01J1/312	分類號：	H01J1/312;H01J29/04;H01J31/12
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搜索關鍵詞：	電子發射裝置顯示器
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種電子發射裝置及具有該電子發射裝置的電子發射顯示器，尤其涉及一種基于碳納米管的冷陰極電子發射裝置。

背景技術

電子發射顯示裝置在各種真空電子學器件和設備中是不可缺少的部分。在顯示技術領域，電子發射顯示裝置因其具有高亮度、高效率、大視角，功耗小以及體積小等優點，可廣泛應用于汽車、家用視聽電器、工業儀器等領域。

通常，電子發射顯示裝置中采用的電子發射源有兩種類型：熱陰極電子發射源和冷陰極電子發射源。冷陰極電子發射源包括表面傳導型電子發射源、場致電子發射源、金屬-絕緣層-金屬（MIM）型電子發射源等。

在MIM型電子發射源的基礎上，人們又發展了金屬-絕緣層-半導體層-金屬（MISM）型電子發射源。MISM型電子發射源的工作原理與MIM型電子發射源不相同，所述MIM型電子發射源的電子加速是在絕緣層中進行的，而MISM型電子發射源的電子加速是在半導體層中完成的。

MISM型電子發射源由于電子需要具有足夠的平均動能才有可能穿過金屬層而逸出至真空，而現有技術中的MISM型電子發射源中，由于電子從半導體層進入金屬層時需要克服的勢壘往往比電子的平均動能高，因而造成電子發射裝置的電子發射率低，使得電子發射顯示器的顯示效果不夠理想。

發明內容

有鑒于此，確有必要提供一種具有較高電子發射率及較高顯示效果的電子發射裝置及電子發射顯示器。

一種電子發射裝置，其包括多個間隔設置的電子發射單元，所述電子發射單元包括依次層疊設置的一第一電極，一半導體層，一絕緣層以及一第二電極，其中，所述第一電極為一碳納米管層，每一電子發射單元中的半導體層具有多個間隔設置的孔洞，對應孔洞位置處的碳納米管層懸空設置。

一種電子發射顯示器，其包括：一基板，一設置于基板表面的電子發射裝置，一陽極結構，所述陽極結構包括一陽極以及一熒光粉層，所述電子發射裝置與所述熒光粉層相對且間隔設置，其中，所述電子發射裝置采用上述所述的電子發射裝置。

與現有技術相比較，本發明提供的電子發射裝置及電子發射顯示器中中，由于第一電極為碳納米管層，有利于電子出射；并且半導體層中設置有多個孔洞，能夠減少電子穿越半導體層造成的能量損失，從而電子能夠更加容易的從孔洞位置處透射出碳納米管層，并且使得電子具有更大的動能以穿過所述碳納米管層形成電子發射，提高了電子發射率，使得所述電子發射顯示器具有更好的顯示效果。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例提供的電子發射源的結構示意圖。

圖2是本發明碳納米管膜的掃描電鏡照片。

圖3是本發明多層交叉設置的碳納米管膜的掃描電鏡照片。

圖4是本發明非扭轉的碳納米管線的掃描電鏡照片。

圖5是本發明扭轉的碳納米管線的掃描電鏡照片。

圖6是本發明第二實施例提供的電子發射源的結構示意圖。

圖7為電子發射源中具有匯流電極的結構示意圖。

圖8為本發明第三實施例提供的電子發射裝置的結構示意圖。

圖9是本發明第四實施例提供的電子發射裝置的結構示意圖。

圖10是圖9中電子發射裝置中所述電子發射源沿X-X線的剖視圖。

圖11是本發明第五實施例提供的電子發射顯示器的結構示意圖。