[發明專利]電子發射裝置及電子發射顯示器

有效

• 申請號: 201410024369.6
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN104795294B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 柳鵬;李德杰;張春海;周段亮;杜秉初;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01J1/312
• 分類號: H01J1/312;H01J29/04;H01J31/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電子發射裝置，其包括多個間隔設置的電子發射單元，所述電子發射單元包括依次層疊設置的一第一電極，一半導體層，一絕緣層以及一第二電極，其特征在于，所述第一電極為一碳納米管層，每一電子發射單元中的半導體層具有多個間隔設置的孔洞，對應孔洞位置處的碳納米管層懸空設置，該多個電子發射單元中的絕緣層相互連接形成連續的層狀結構。

2.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述每一電子發射單元中所述半導體層為一圖案化的連續的結構。

3.如權利要求2所述的電子發射裝置，其特征在于，所述多個孔洞為多個盲孔，所述多個盲孔至少設置于所述半導體層靠近碳納米管層的表面。

4.如權利要求3所述的電子發射裝置，其特征在于，所述半導體層覆蓋所述多個盲孔，對應盲孔位置處的碳納米管層懸空設置。

5.如權利要求2所述的電子發射裝置，其特征在于，所述孔洞為通孔，所述通孔沿所述半導體層的厚度方向貫穿所述半導體層。

6.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述孔洞的孔徑為5納米至50納米。

7.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述半導體層被所述孔洞分割成相互間隔的區塊形成一不連續的結構。

8.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述碳納米管層包括多個碳納米管擇優取向延伸，所述碳納米管的延伸方向平行于所述半導體層的表面。

9.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述孔洞的孔徑為20納米。

10.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述多個電子發射單元呈多行多列排布，且所述電子發射單元中的碳納米管層、半導體層及第二電極均呈多行多列排布。

11.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，進一步包括多個行電極以及多個列電極分別與所述電子發射單元電連接，每相鄰兩個行電極與每相鄰兩個列電極形成一網格，且每一網格對應設置有一個電子發射單元。

12.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述碳納米管層是由多個碳納米管組成的純碳納米管結構。

13.如權利要求12所述的電子發射裝置，其特征在于，所述多個碳納米管通過范德華力相互連接，相互接觸形成一自支撐結構。

14.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，所述碳納米管層包括碳納米管膜、碳納米管線或兩者組合。

15.如權利要求14所述的電子發射裝置，其特征在于，所述碳納米管層包括一單層碳納米管膜或多個層疊設置的碳納米管膜。

16.如權利要求14所述的電子發射裝置，其特征在于，所述碳納米管層包括多個平行設置的碳納米管線、多個交叉設置的碳納米管線，所述多個交叉設置的碳納米管線組成一網狀結構。

17.如權利要求1所述的電子發射裝置，其特征在于，進一步包括一電子收集層設置于每一電子發射單元中所述半導體層與所述絕緣層之間，所述電子收集層為一導電層。

18.如權利要求17所述的電子發射裝置，其特征在于，所述電子收集層為一石墨烯膜，所述石墨烯膜包括至少一層石墨烯。

19.如權利要求17所述的電子發射裝置，其特征在于，所述電子收集層為一碳納米管層，所述碳納米管層包括多個碳納米管，該多個碳納米管相互連接形成一導電網絡。

20.一種電子發射顯示器，其包括：一基板，一設置于基板表面的電子發射裝置，一陽極結構，所述陽極結構包括一陽極以及一熒光粉層，所述電子發射裝置與所述熒光粉層相對且間隔設置，其特征在于，所述電子發射裝置采用上述權利要求1-18中任一一項所述的電子發射裝置。