[發明專利]一種用離子預輻照提高低活化材料抗輻照性能的方法有效
| 申請號: | 201410023732.2 | 申請日: | 2014-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN103789530A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發明(設計)人: | 劉平平;詹倩;萬發榮;趙明忠 | 申請(專利權)人: | 北京科技大學 |
| 主分類號: | C21D10/00 | 分類號: | C21D10/00;C22C38/26 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離子 輻照 提高 活化 材料 性能 方法 | ||
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技術領域
本發明屬于結構鋼材料技術領域,涉及一種提高反應堆用結構鋼抗輻照性能的方法。?
背景技術
的品物hu核能的合理開發利用是解決人類日益嚴重的能源問題的重要途徑之一,一直以來受到廣泛的關注和研究。核反應堆結構材料由于面臨著極端苛刻的輻照環境,提高材料的抗輻照性能顯得尤為重要。材料中的界面(晶界和相界)可作為輻照產生的點缺陷(間隙原子和空位)的高效陷阱(sink)[X.M.?Bai,?et?al.?Science,2010,327:1631-3633.?and?G.X.?Science,2010],使得界面附近的空位和間隙原子有效復合,從而使得材料在輻照條件下具有良好的自修復性能,從而大大提高材料的抗輻照性能。析出物強化材料具有較高的界面體積比,在輻照條件下具有良好的抗輻照性能。
在材料中產生析出物的方法有多種,但是高效、直接的能夠產生在隨后輻照條件下穩定的納米級細小析出物的方法仍是各國科學家研究的重點。目前在低活化金屬材料中產生析出物主要有兩種模式,一種是比較傳統的熱處理模式,通過不同的熱處理工藝,使得材料中產生較多的析出物。然而通過這種方法獲得的析出物尺寸不好控制,而且析出物在隨后的高溫輻照過程中會繼續長大。另一種模式是通過粉末冶金的方法在材料中加入納米氧化物粒子,并且通過這種方法獲得的氧化物粒子在隨后的輻照中比較穩定。但是這種方法工藝非常復雜,不經濟,而且這樣處理后的材料對隨后的材料加工提出了很高的要求。低活化鋼是新一代核裂變反應堆和未來核聚變反應堆中使用的結構鋼材料。本申請專利采用一種全新的預輻照方法來產生大量納米析出物從而提高低活化鋼的抗輻照性能。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用離子預輻照提高低活化材料抗輻照性能的方法。
一種用離子預輻照提高低活化材料抗輻照性能的方法,其特征在于,用離子對低活化材料進行預輻照,通過獲得穩定的納米級析出物,來提高材料的抗輻照性能,具體操作步驟如下:
1)將低活化材料進行機械減薄、拋光并用丙酮清洗干凈;
2)把步驟1得到的樣品裝入離子加速器,并將所述離子加速器的真空抽至?1×10-4-1×10-6?Pa;
3)注入H離子或D離子,能量為58-100?keV,劑量為1-1.6×1017?ions/cm2,溫度設定為500?℃,輻照時間為6-24小時;
4)預輻照完成后,樣品材料中便產生大量納米級析出物,所述析出物的尺寸分布在30-200?納米之間,該析出物在隨后的輻照中保持尺寸和結構的穩定性,為樣品材料提供更多的點缺陷阱,從而提高低活化材料的抗輻照性能。
其中,所述低活化材料的成分,各元素按質量百分比Cr為8-10%,W為1.0-2.0%,V為0.1-0.3%,Ta為0.05-0.1%,C為0.01-0.1%,Mn為0.3-0.5%,Si為0.02-0.2%,余量為Fe。
其中,所述低活化材料的成分是以Fe為基,加入以下某種一種或多種元素,各元素按質量百分比Cr為8-12%,W為0.5-2.5%,V為0.1-0.5%,Ta為0.05-0.1%。
其中,經過預輻照后,所述低活化材料的基體中含有大量高度彌散分布的、尺寸在幾十納米到一兩百納米的析出相。
本發明的優點在于方法經濟、工藝簡單、操作簡便,設備要求低可直接利用預輻照來進行。這樣對低活化鋼的冶煉和材料加工都沒有提出新要求。獲得的納米析出物分布均勻而且在隨后的輻照中尺寸和結構穩定。
附圖說明
圖1低活化模型合金中預輻照后產生大量的析出的電鏡照片。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白,以下結合具體實施例并配合附圖1,對本發明進一步詳細說明。
實施例?1
1)將低活化鋼模型合金(Fe-10wt%Cr)機械減薄到100?um,拋光并用丙酮清洗干凈。
2)把樣品裝入離子加速器靶上,閉合,并將加速器的真空抽至?1×10-6?Pa。
3)注入離子為D離子,能量為58?keV,劑量為1×1017?ions/cm2。溫度設定為500?℃。輻照時間約為10小時。
4)預輻照完成后,合金中便產生了大量納米級析出物,尺寸分布在30~200?納米之間,如上電鏡圖所示。該析出物在隨后的輻照中保持尺寸和結構的穩定性。
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