[發(fā)明專利]一種用離子預(yù)輻照提高低活化材料抗輻照性能的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410023732.2 | 申請(qǐng)日： | 2014-01-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103789530A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉平平;詹倩;萬(wàn)發(fā)榮;趙明忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C21D10/00 | 分類號(hào)： | C21D10/00;C22C38/26 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 離子 輻照 提高 活化 材料 性能 方法 | ||
1.一種用離子預(yù)輻照提高低活化材料抗輻照性能的方法，其特征在于，用離子對(duì)低活化材料進(jìn)行預(yù)輻照，通過(guò)獲得穩(wěn)定的納米級(jí)析出物，來(lái)提高材料的抗輻照性能，具體操作步驟如下：
1）將低活化材料進(jìn)行機(jī)械減薄、拋光并用丙酮清洗干凈；
2）把步驟1得到的樣品裝入離子加速器，并將所述離子加速器的真空抽至?1×10-4-1×10-6?Pa；
3）注入H離子或D離子，能量為58-100?keV，劑量為1-1.6×1017?ions/cm2，溫度設(shè)定為500?℃，輻照時(shí)間為6-24小時(shí)；
4）預(yù)輻照完成后，樣品材料中便產(chǎn)生大量納米級(jí)析出物，所述析出物的尺寸分布在30-200?納米之間，該析出物在隨后的輻照中保持尺寸和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，為樣品材料提供更多的點(diǎn)缺陷阱，從而提高低活化材料的抗輻照性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低活化材料的成分，各元素按質(zhì)量百分比Cr為8-10%，W為1.0-2.0%,V為0.1-0.3%，Ta為0.05-0.1%，C為0.01-0.1%，Mn為0.3-0.5%，Si為0.02-0.2%，余量為Fe。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低活化材料的成分是以Fe為基，加入以下某種一種或多種元素，各元素按質(zhì)量百分比Cr為8-12%，W為0.5-2.5%,V為0.1-0.5%，Ta為0.05-0.1%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，經(jīng)過(guò)預(yù)輻照后，所述低活化材料的基體中含有大量高度彌散分布的、尺寸在幾十納米到一兩百納米的析出相。
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