[發(fā)明專利]多晶電阻的制造方法和多晶電阻

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410023295.4
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN104795310B
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 由云鵬;潘光燃;石金成;王焜;文燕
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種多晶電阻的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有氧化層和底層氮化硅層的襯底表面生長多晶硅層，所述多晶硅層位于所述底層氮化硅層的上方；

對所述多晶硅層注入摻雜元素；

刻蝕掉所述多晶硅層上的第一預(yù)設(shè)區(qū)域之外的多晶硅，保留所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的多晶硅，以形成電阻條區(qū)域；

在形成有所述電阻條區(qū)域的襯底上方，生長頂層氮化硅層，所述頂層氮化硅層呈臺階狀，所述頂層氮化硅層包括上臺面氮化硅層和下臺面氮化硅層；

刻蝕掉所述下臺面氮化硅層，以及所述下臺面氮化硅層下面的底層氮化硅層，保留所述上臺面氮化硅層；

對所述上臺面氮化硅層上的第二預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成接觸孔；

對所述襯底進(jìn)行熱處理，以激活所述摻雜元素；

在所述接觸孔所在的區(qū)域鍍金屬，以形成引線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，在所述對所述襯底進(jìn)行熱處理之前，還包括：

對所述接觸孔區(qū)域的多晶硅層注入所述摻雜元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，刻蝕所述多晶硅層、刻蝕所述下臺面氮化硅層和所述下臺面氮化硅層下面的底層氮化硅層，以及刻蝕所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域均采用干法刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕為豎直向下的各向異性刻蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型半導(dǎo)體晶圓片，所述P型半導(dǎo)體晶圓片的厚度為250微米～750微米，所述晶圓片的電阻率為2歐姆·厘米～20歐姆·厘米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，所述氧化層為正硅酸乙酯，所述氧化層采用低壓化學(xué)氣相淀積的方式生長在所述襯底的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，所述底層氮化硅層和頂層氮化硅層的厚度相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，所述摻雜元素為硼元素。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的多晶電阻的制造方法，其特征在于，對所述襯底進(jìn)行熱處理的溫度條件是350攝氏度～450攝氏度，熱處理時(shí)間為30分鐘～120分鐘。

10.一種多晶電阻，其特征在于，所述多晶電阻由如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的多晶電阻的制造方法制作而成。