[發明專利]具阻隔結構的敷銅基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201410022499.6
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN104795363A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 林子智;廖建科
• 申請（專利權）人: 菱生精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L21/762
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

技術領域

本發明是關于一種基板及其制造方法，特別是指一種具阻隔結構的敷銅基板及其制造方法。

背景技術

于半導體技術領域中，半導體芯片以芯片倒裝形式(Flip-Chip)由多數以矩陣型態排列的導電金屬焊塊，如錫球或錫片電性連接到基板或印刷電路板上。當芯片以芯片倒裝方式焊接到基板上時，基板表層布設有一阻焊層(Solder?Mask)，該阻焊層下埋設多條導電線路，各導電線路終端對應于芯片錫塊焊接的位置上形成有一外露出該阻焊層的焊墊(Solder?Pads)，因此，該錫塊與基板上各焊墊對應焊結后，芯片訊號可通過該錫塊以及散布于基板表層并由貫孔貫穿基板中心樹脂層的導電線路傳送至基板底部，再與外部裝置電性連接。

一般焊墊形式的基板1為如圖1所示，為阻焊層定義(Solder?Mask?Defined,SMD)，該阻焊層2的開口3的尺寸小于形成在基板1的樹脂層4上的焊墊5的尺寸，以令該焊墊5的周緣為該阻焊層2所覆蓋。而芯片倒裝封裝技術(Flip-chip?Technology)是預先在芯片6的作用表面的芯片焊墊7上形成復數個錫球8，再以作用表面朝下的方式將該芯片6回焊至基板1，而形成包含芯片焊墊7、錫球8及基板焊墊5的焊結接合，之后再以底部填膠或模壓工藝充布一絕緣膠材至芯片6的底部間隙，以強化錫球8的焊接力；然而，當以前述的封裝技術應用于高功率模塊上，由于高電壓電流的工作狀態使其產生相當大的熱能，此時芯片的散熱性及穩定性即成為必須克服的重點。

如圖2所示，業界為克服此問題，一種利用錫片9搭配回焊(Reflow)工藝的技術方案則被廣為使用，但因為錫片9在回焊爐的過程中會由固態轉換成液態，此時液態錫則可能會經由基板1表面而流向相鄰的導電線路，以致引發相鄰導電線路間的橋接短路，進而使芯片6損毀或功能失效，抑或者需花費更多的人力物力成本來進行修復。

綜上所述，公知的基板1結構及封裝技術仍具上述的缺失而有待改進。

發明內容

本發明的目的在于提供一種具阻隔結構的敷銅基板。

本發明的又一目的在于提供一種具阻隔結構的敷銅基板制造方法。

本發明可避免錫片在回焊爐中形成液態錫后，因接觸其他訊號線而造成短路的問題。

為實現上述目的，本發明提供的具阻隔結構的敷銅基板，其包含有一承載區以及一阻隔區，該承載區可供一芯片電性連接之用，該阻隔區形成于該承載區的周圍，以阻隔該芯片及該承載區。

其還包含有至少一導電片，該至少一導電片設于該芯片與該基板的承載區之間，以供該芯片電性連接于該基板。

本發明還提供另一種具阻隔結構的敷銅基板，其包含有復數個承載區以及復數個阻隔區，各該承載區可供各該芯片電性連接之用，各該阻隔區形成于各該承載區的周圍，以阻隔各該芯片及各該承載區。

其還包含有復數個導電片，各該導電片固設于各該芯片與各該基板的承載區之間，以供各該芯片電性連接于該基板。

其中該基板的阻隔區為一凹槽。

其中該基板的阻隔區為一擋墻。

其中該基板為一陶瓷層以及形成于該陶瓷層上下表面的覆銅層所構成。

本發明提供的具阻隔結構的敷銅基板制造方法，其包含有下列步驟：提供一基板且分別定義出至少一承載區以及至少一形成于該至少一承載區周圍的阻隔區；提供至少一芯片于該至少一承載區；以及提供一連接手段于該至少一芯片與該至少一承載區之間，以供電性連接之用。

其中定義該至少一阻隔區包括有提供一光罩(Mask)并經由一曝光顯影工藝后，蝕刻(Etching)形成至少一凹槽的步驟。

其中定義該至少一阻隔區包括有提供一光罩(Mask)并以沉積(Deposition)或濺鍍(Sputter)工藝形成至少一擋墻的步驟。

其中該基板包括于一陶瓷層的上下表面分別形成一覆銅層的步驟。

其中該連接手段是先提供至少一導電片于該至少一芯片與該至少一承載區之間，并經過一回焊(Reflow)工藝將該至少一芯片電性連接于該至少一承載區。

由此，本發明的敷銅基板可供該芯片平坦設置，且利于導熱，以提升該芯片的工作效能，還可通過該阻隔區的技術特征來避免該錫片在回焊爐中形成液態錫后，因接觸其他訊號線而造成短路的問題。

附圖說明

圖1為公知的基板及封裝結構的剖面圖。

圖2為另一公知的基板及封裝結構的剖面圖。

圖3為本發明第一較佳實施例所提供的具阻隔結構的敷銅基板的剖面圖，主要顯示阻隔區為凹槽的結構。