[發(fā)明專利]具阻隔結構的敷銅基板及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410022499.6
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN104795363A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發(fā)明（設計）人: 林子智;廖建科
• 申請（專利權）人: 菱生精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L21/762
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種具阻隔結構的敷銅基板，其包含有一承載區(qū)以及一阻隔區(qū)，該承載區(qū)可供一芯片電性連接之用，該阻隔區(qū)形成于該承載區(qū)的周圍。

2.根據權利要求1所述具阻隔結構的敷銅基板，其中，包含有至少一導電片，該至少一導電片設于該芯片與該基板的承載區(qū)之間，以供該芯片電性連接于該基板。

3.一種具阻隔結構的敷銅基板，其包含有復數個承載區(qū)以及復數個阻隔區(qū)，各該承載區(qū)可供各該芯片電性連接之用，各該阻隔區(qū)形成于各該承載區(qū)的周圍，以阻隔各該承載區(qū)。

4.根據權利要求3所述具阻隔結構的敷銅基板，其中，包含有復數個導電片，各該導電片固設于各該芯片與各該基板的承載區(qū)之間，以供各該芯片電性連接于該基板。

5.根據權利要求1或3所述具阻隔結構的敷銅基板，其中，該基板的阻隔區(qū)為一凹槽。

6.根據權利要求1或3所述具阻隔結構的敷銅基板，其中，該基板的阻隔區(qū)為一擋墻。

7.根據權利要求1或3所述具阻隔結構的敷銅基板，其中，該基板為一陶瓷層以及形成于該陶瓷層上下表面的覆銅層所構成。

8.一種具阻隔結構的敷銅基板的制造方法，包含有下列步驟：

提供一基板且分別定義出至少一承載區(qū)以及至少一形成于該至少一承載區(qū)周圍的阻隔區(qū)；

提供至少一芯片于該至少一承載區(qū)；以及

提供一連接手段于該至少一芯片與該至少一承載區(qū)之間，以供電性連接之用。

9.根據權利要求8所述具阻隔結構的敷銅基板的制造方法，其中，定義該至少一阻隔區(qū)包括有提供一光罩并經由一曝光顯影工藝后，蝕刻形成至少一凹槽的步驟。

10.根據權利要求8所述具阻隔結構的敷銅基板的制造方法，其中，定義該至少一阻隔區(qū)包括有提供一光罩并以沉積或濺鍍工藝形成至少一擋墻的步驟。

11.根據權利要求8所述具阻隔結構的敷銅基板的制造方法，其中，該基板包括于一陶瓷層的上下表面分別形成一覆銅層的步驟。

12.根據權利要求8所述具阻隔結構的敷銅基板的制造方法，其中，該連接手段是先提供至少一導電片于該至少一芯片與該至少一承載區(qū)之間，并經過一回焊工藝將該至少一芯片電性連接于該至少一承載區(qū)。