[發明專利]用于減小非易失性存儲器的尺寸的方法和系統

無效

• 申請號: 201410021765.3
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN103943145A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: U.巴克豪森;T.克恩;T.尼爾施爾;J.羅森布施
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;馬永利

技術領域

本公開一般地涉及用于在集成電路中減小電子可編程非易失性存儲器的尺寸并且尤其是嵌入式閃存（諸如熱源極三層多晶硅（hot?source?triple?poly，HS3P）閃存）的物理尺寸的方法和系統。

背景技術

目前，當使用針對具有低于40nm的柵極長度的集成電路的制造技術時，縮小eNVM模塊變得越來越困難。一方面，操作嵌入式非易失性存儲器的電壓通常不可以在實質程度上減小，即使嵌入式非易失性存儲器中的最小特征尺寸減小到低于40nm。這導致eNVM模塊的主要外圍部分也不可以縮小。因此，減小嵌入式非易失性存儲器的尺寸和隨之的復雜性的主要潛力目前走向幾個基本的限制。

限制之一起因于以下事實：用于生產嵌入式非易失性存儲器的CMOS制造技術也可能最終達到它們的集成密度限制。進一步的限制可能由存儲器單元內的物理限制（即存儲器單元限制）設置，存儲器單元內的物理限制歸因于存儲器單元中的有源器件的擊穿可靠性和耦合比率限制。

因此，這些限制可能導致嵌入式非易失性存儲器的總體存儲容量就要求的芯片面積而言可能太低或成本太高。然而，對機動車電子控制單元（ECU）的嵌入式存儲器內的存儲容量的不斷增加的需求以及機動車工業的高度競爭的市場結構要求可以克服上面的限制。

發明內容

提供了用于減小非易失性存儲器的尺寸的方法和系統，基本如在附圖的至少一個中示出和/或連同附圖的至少一個描述的，如在權利要求中更完整地闡述的。

根據參考附圖做出的后面的詳細描述，實施例的進一步的特征和優點將變得顯而易見。

附圖說明

附圖被包括以提供對本說明書的進一步理解以及被合并到本說明書中并且構成本說明書的部分。附圖涉及示例和實施例并且與描述一起用于解釋本公開的原理。其它實施例和實施例的許多預期的優點將被容易地意識到，因為它們通過參考后面的詳細描述而變得更好理解。

圖1a示出了基于作為非易失性存儲器元件的浮置柵極晶體管的兩個常規相鄰非易失性存儲器單元的示意圖，其中每個存儲器單元包括其自身的選擇晶體管用于針對讀取或編程操作選擇存儲器單元的浮置柵極晶體管。

圖1b示出了基于作為非易失性存儲器元件的浮置柵極晶體管的根據實施例的單個雙比特非易失性存儲器單元的示意圖，其中存儲器單元包括用于針對讀取或編程操作選擇存儲器單元的浮置柵極晶體管之一的單個選擇晶體管。因為圖1b中的存儲器單元的實施例包括兩個浮置柵極晶體管的兩個控制柵極（2CG）和單個選擇晶體管的單個選擇柵極（1SG），存儲器單元還可以被稱為2CG1SG存儲器單元。

圖2a示出了根據實施例的2CG1SG存儲器單元的示意圖，其中針對兩個示例性偏置情況的電壓緊靠2CG1SG存儲器單元的相應的端子示出，針對兩者的偏置情況：在第一或左備選方式中經由左控制柵極（CGL）讀取左浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容，以及在第二或右備選方式中經由右控制柵極（CGR）讀取右浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容。

圖2b示出了根據實施例的2CG1SG存儲器單元的示意圖，其中針對兩個示例性偏置情況的電壓緊靠2CG1SG存儲器單元的相應的端子示出，針對兩者的偏置情況：在第一或左備選方式中經由左控制柵極（CGL）編程左浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容，以及在第二或右備選方式中經由右控制柵極（CGR）編程右浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容。

圖2c示出了根據實施例的2CG1SG存儲器單元的示意圖，其中針對一個示例性偏置情況的電壓緊靠2CG1SG存儲器單元的相應的端子示出，偏置情況針對：經由左控制柵極（CGL）擦除左浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容以及同時經由右控制柵極（CGR）擦除右浮置柵極晶體管的非易失性存儲器內容。

圖3a示出了2CG1SG存儲器單元的陣列的示意圖，其中每個2CG1SG存儲器單元可以放置在虛擬地機構中并且到共享比特或源極線的每個觸點可以在四個2CG1SG存儲器單元之間共享。

圖3b示出了2CG1SG存儲器單元的陣列的可能的布局，其中每個2CG1SG存儲器單元可以放置在虛擬地機構中并且到共享比特或源極線的每個觸點可以在四個2CG1SG存儲器單元之間共享。