[發明專利]用于減小非易失性存儲器的尺寸的方法和系統

無效

• 申請號: 201410021765.3
• 申請日: 2014-01-17
• 公開（公告）號: CN103943145A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: U.巴克豪森;T.克恩;T.尼爾施爾;J.羅森布施
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;馬永利

1.一種非易失性存儲器器件，包括：

多個非易失性存儲器元件，其中至少兩個非易失性存儲器元件的集合每個共享一個選擇元件，所述選擇元件用于選擇非易失性存儲器元件的集合中特定的一個的非易失性存儲器元件中的一個用于讀取操作或編程操作。

2.根據權利要求1的存儲器器件，

其中非易失性存儲器元件的集合每個包括至少第一存儲器晶體管和第二存儲器晶體管，以及

其中非易失性存儲器元件的集合的每個中的所述選擇元件包括選擇晶體管。

3.根據權利要求2的存儲器器件，其中第一和第二存儲器晶體管的存儲器功能是基于浮置柵極，氮化物層或納米晶體層。

4.根據權利要求2的存儲器器件，進一步包括偏置電路，偏置電路被配置為向形成組合存儲器單元的非易失性存儲器元件的集合中特定的一個的第一存儲器晶體管的控制柵極比向組合存儲器單元的第二存儲器晶體管的控制柵極施加更高的電壓以讀取第二存儲器晶體管的非易失性存儲器內容。

5.根據權利要求1的存儲器器件，進一步包括用于非易失性存儲器內容的補數感測的偏置電路，所述偏置電路被配置為提供偏置信號用于：

如果兩個非易失性存儲器元件的集合中的一個處于擦除狀態中，則把數據編程到兩個非易失性存儲器元件的集合中的另一個；以及

如果兩個非易失性存儲器元件的集合中的一個處于編程狀態中，則使兩個非易失性存儲器元件的集合中的另一個處于擦除狀態中。

6.根據權利要求1的存儲器器件，進一步包括偏置電路，所述偏置電路被配置為提供偏置信號以把數據從兩個非易失性存儲器元件的集合中的一個復制到兩個非易失性存儲器元件的集合中的另一個。

7.一種非易失性存儲器器件，包括：

多個組合存儲器單元，其中每個組合存儲器單元包括

???????兩個存儲器晶體管；和

???????一個選擇晶體管。

8.根據權利要求7的存儲器器件，其中通過耦合到相應的組合存儲器單元的共享比特或源極線來提供用于每個組合存儲器單元的源極到漏極偏置。

9.根據權利要求8的非易失性存儲器器件，其中多個組合存儲器單元中的鄰近的組合存儲器單元被配置為共享相同的一個共享比特或源極線。

10.根據權利要求8的存儲器器件，進一步包括偏置電路，所述偏置電路被配置為提供偏置信號用于讀取第一存儲器晶體管的非易失性存儲器內容，所述偏置電路被配置為：

施加第一源極電壓到組合存儲器單元的第一共享比特或源極線，第一共享比特或源極線連接到第一存儲器晶體管的源極/漏極；

施加第一比特線電壓到組合存儲器單元的第二共享比特或源極線，第二共享比特或源極線連接到第二存儲器晶體管的漏極/源極；

施加第一讀取電壓到組合存儲器單元的第一控制柵極線，第一控制柵極線連接到第一存儲器晶體管的控制柵極；

施加第一選擇電壓到組合存儲器單元的選擇柵極線，所述選擇柵極線連接到選擇晶體管的柵極；以及

施加第二讀取電壓到組合存儲器單元的第二控制柵極線，第二控制柵極線連接到第二存儲器晶體管的控制柵極，其中第二讀取電壓大于第一讀取電壓。

11.根據權利要求8的存儲器器件，進一步包括偏置電路，所述偏置電路被配置為提供偏置信號用于讀取第二存儲器晶體管的非易失性存儲器內容，所述偏置電路被配置為：

施加第二比特線電壓到組合存儲器單元的第一共享比特或源極線；

施加第二源極電壓到組合存儲器單元的第二共享比特或源極線；

施加第三讀取電壓到組合存儲器單元的第一控制柵極線；

施加第一選擇電壓到組合存儲器單元的選擇柵極線；以及

施加第四讀取電壓到組合存儲器單元的第二控制柵極線，其中第三讀取電壓大于第四讀取電壓。