[發(fā)明專利]硅氧化物膜的成膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410021187.3
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103928316B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 村上博紀(jì);池內(nèi)俊之;佐藤潤;兩角友一朗
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

相關(guān)申請的相互參照

本申請要求基于2013年1月16日申請的日本專利申請第2013－005743號的優(yōu)先權(quán)，將該日本申請的內(nèi)容整體作為參照文獻并入到說明書中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅氧化物膜的成膜方法。

背景技術(shù)

近來，半導(dǎo)體集成電路裝置的微細(xì)化逐漸發(fā)展。由于這樣的微細(xì)化的發(fā)展，對于半導(dǎo)體集成電路裝置中使用的各種薄膜而言，要求進一步的薄膜化以及膜質(zhì)的進一步優(yōu)質(zhì)化。

例如，一直以來用于形成薄氧化膜等絕緣膜的絕緣膜形成方法是已知的。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

為了進一步薄膜化，改善薄膜的表面粗糙度是重要的。這是由于，如果表面粗糙度差則即使進行薄膜化也難以獲得均勻的膜厚。

另外，作為對薄膜提出的新課題，改善其與基底之間的界面粗糙度也變得很重要。如果界面粗糙度差，則基底與薄膜之間的界面產(chǎn)生界面態(tài)，使電子、空穴的遷移率惡化或者電荷被捕獲。

上述現(xiàn)有方法中針對形成薄氧化膜、提升薄氧化膜的電特性有所啟示，但針對改善表面粗糙度以及改善界面粗糙度則沒有任何啟示。

本發(fā)明提供一種硅氧化物膜的成膜方法，其能夠得到至少界面粗糙度良好的硅氧化物膜。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一方式的硅氧化物膜的成膜方法，其具備：(1)在被處理體的作為被處理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)將前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之間，具備：(3)在將前述硅膜氧化之前，將形成有前述硅膜的前述被處理體暴露于至少包含氧化成分的氣氛中的工序。

附圖說明

附圖作為本說明書的一部分而引入，表示本發(fā)明的實施方式，與上述的一般性說明和后述的具體實施方式一起說明本發(fā)明的概念。

圖1是簡略地表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的一實施方式的硅氧化物膜的成膜方法的成膜裝置的一例的縱向剖面圖。

圖2是圖1所示的成膜裝置的水平剖面圖。

圖3是示出本發(fā)明的一實施方式所述的硅氧化物膜的成膜方法的一例的流程圖。

圖4的(A)～圖4的(D)是示出一實施方式的硅氧化物膜的成膜方法的主要工序的剖面圖。

圖5是表示將硅基板從處理室抽出的狀態(tài)的縱向剖面圖。

圖6是表示按照參考例的成膜方法成膜的硅氧化物膜的截面的附圖代用照片。

圖7是表示按照一實施方式的硅氧化物膜的成膜方法成膜的硅氧化物膜5的截面的附圖代用照片。

圖8是表示調(diào)查表面粗糙度的結(jié)果的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖來說明本發(fā)明的一實施方式。下述詳細(xì)的說明中，為了能夠充分地理解本發(fā)明，給與盡量多的具體的內(nèi)容。然而，即使沒有這樣的詳細(xì)的說明本領(lǐng)域技術(shù)人員也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，這是顯而易見的。其他的例子中，為了避免難以理解各種各樣的實施方式，對于已知的方法、步驟、系統(tǒng)或構(gòu)成要素，沒有詳細(xì)地表示。需要說明的是，在所有附圖中，相同的部分帶有相同的附圖標(biāo)記。

首先，對于能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的一實施方式的硅氧化物膜的成膜方法的成膜裝置的一例進行說明。

(成膜裝置)

圖1是簡略地表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的一實施方式的硅氧化物膜的成膜方法的成膜裝置的一例的縱向剖面圖、圖2是圖1所示的成膜裝置的水平剖面圖。

如圖1和圖2所示，成膜裝置100具有下端開口的有頂面的圓筒體狀的處理室101。處理室101的整體由例如石英形成。處理室101內(nèi)的頂面設(shè)置有石英制的頂面板102。例如由不銹鋼成型為圓筒體狀的歧管103介由O形環(huán)等密封部件104連接在處理室101的下端開口部。

歧管103支撐處理室101的下端。縱型晶舟105從歧管103的下方插入至處理室101內(nèi)。縱型晶舟105具有多根桿106，所述桿106形成有多條沒有圖示的支撐槽，上述支撐槽支撐多枚被處理體如50～100枚的半導(dǎo)體基板、本例中為硅基板1的邊緣部的一部分。由此，在縱型晶舟105上多級載置硅基板1。