[發明專利]硅氧化物膜的成膜方法

有效

• 申請號: 201410021187.3
• 申請日: 2014-01-16
• 公開（公告）號: CN103928316B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 村上博紀;池內俊之;佐藤潤;兩角友一朗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種硅氧化物膜的成膜方法，其具備：

(1)在被處理體的作為被處理面的基底上形成硅膜的工序、和

(2)將所述硅膜氧化而在所述基底上形成硅氧化物膜的工序；

在所述(1)工序和所述(2)工序之間具備：

(3)在將所述硅膜氧化之前，將形成有所述硅膜的所述被處理體暴露于至少包含氧化成分的氣氛中的工序

所述被處理體為硅基板；

其中，所述至少包含氧化成分的氣氛為按照氮氣和氧氣的體積比率為9：1～7：3的范圍混合而成的混合氣氛。

2.根據權利要求1所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，所述至少包含氧化成分的氣氛為大氣。

3.根據權利要求1所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，使所述混合氣氛中含有1ppm～3ppm的包含有機成分的氣體。

4.根據權利要求1所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，

所述(1)工序具備：

(4)在所述被處理體的作為被處理面的基底上形成晶種層的工序、和

(5)在所述晶種層上形成所述硅膜的工序。

5.根據權利要求4所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，所述晶種層為通過使氨基硅烷系氣體、丙硅烷以上的高階硅烷系氣體、氯硅烷系氣體、以及分子式中包含2個以上硅的氨基硅烷系氣體的至少1種吸附到所述基底上而形成的。

6.根據權利要求4所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，所述硅膜是通過向所述晶種層上供給包含至少1種乙硅烷以下的低階硅烷系氣體、氨基硅烷系氣體、以及氯硅烷系氣體的氣體而形成的。

7.根據權利要求5所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，

所述氨基硅烷系氣體選自包含以下物質中的至少一種的氣體：

BAS即丁基氨基硅烷、

BTBAS即雙(叔丁基氨基)硅烷、

DMAS即二甲基氨基硅烷、

BDMAS即雙(二甲基氨基)硅烷、

TDMAS即三(二甲基氨基)硅烷、

DEAS即二乙基氨基硅烷、

BDEAS即雙(二乙基氨基)硅烷、

DPAS即二丙基氨基硅烷、和

DIPAS即二異丙基氨基硅烷。

8.根據權利要求5所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，

所述丙硅烷以上的高階硅烷系氣體包含以下物質中的至少一種：

用Si_mH_2m+2式表示的硅的氫化物，其中，m為3以上的自然數；或者用Si_nH_2n式表示的硅的氫化物，其中，n為3以上的自然數。

9.根據權利要求5所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，

所述氯硅烷系氣體包含以下物質中的至少一種：

用Si_mH_2m+2式表示的硅的氫化物的至少一個氫原子被氯原子取代而成的物質，其中，m為1以上的自然數；或者是用Si_nH_2n式表示的硅的氫化物的至少一個氫原子被氯原子取代而成的物質，其中，n為2以上的自然數。

10.根據權利要求5所述的硅氧化物膜的成膜方法，其中，

所述分子式中包含2個以上硅的氨基硅烷系氣體包含下式表示的硅的氨基化合物中的至少一種：

((R1R2)N)_nSi_XH_2X+2-n-m(R3)_m或者

((R1R2)N)_nSi_XH_2X-n-m(R3)_m

其中，n為氨基的個數，是1～6的自然數；

m為烷基的個數，是0和1～5的自然數；

R1、R2、R3＝CH₃、C₂H₅、C₃H₇，

R1、R2、R3相同或者不同，

或者，R3＝Cl或F，

X為2以上的自然數。