[發明專利]一種非制冷長波紅外探測器用吸收層結構有效
| 申請號： | 201410020977.X | 申請日： | 2014-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN103852171A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 歐陽程;黃志明;周煒;吳敬;高艷卿;龍芳;褚君浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G01J5/02 | 分類號： | G01J5/02;G01J5/08 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制冷 長波 紅外 探測 器用 吸收 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種非制冷長波紅外探測器用吸收層結構，它由氮化硅薄膜（1）、鎳鉻合金層（2）和二氧化硅薄膜（3）組成，其特征在于：所述的吸收層結構按輻射的入射順序依次為氮化硅薄膜（1）、鎳鉻合金層（2）和二氧化硅薄膜（3）；其中：
所述氮化硅薄膜（1）的膜厚為1000nm-1200nm；
所述鎳鉻合金層（2）的膜厚為8nm–12nm，其方塊電阻為9.0Ω/□–10.0Ω/□；
所述二氧化硅薄膜（3）的膜厚為50nm–100nm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海技術物理研究所，未經中國科學院上海技術物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410020977.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：陽極滲漏位置檢測
- 下一篇：自整流RRAM存儲單元結構及其3D交錯陣列
