[發(fā)明專利]一種銀納米顆粒摻雜P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410020941.1
• 申請(qǐng)日: 2014-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN103848644A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒宇宏;韓莉;王建祿;孫璟蘭;孫碩;沈宏;孟祥建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): C04B41/48
• 分類號(hào): C04B41/48;C08L27/16;C08K3/08
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種銀納米顆粒摻雜P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將P(VDF-TrFE)恒溫水浴溶解于丁酮溶劑，P(VDF-TrFE)與丁酮的質(zhì)量比為1～5:100，水浴溫度為50～60℃，攪拌時(shí)間為2～4小時(shí)，冷卻后將溶液置于遮光環(huán)境中靜置一天，完成凝膠過程，得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液；

2)將硝酸銀粉末常溫溶解于有機(jī)溶劑，硝酸銀與溶劑的質(zhì)量比為1:10～20，超聲振蕩后置于遮光環(huán)境中靜置得到硝酸銀溶液；

3)經(jīng)過計(jì)算，用移液管移取定量體積P(VDF-TrFE)的丁酮混合溶液與硝酸銀溶液混合，常溫超聲振蕩后靜置于遮光環(huán)境中，得到質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度為0～10%的AgNO₃與P(VDF-TrFE)復(fù)合前驅(qū)液；

4)在襯底上將AgNO₃與P(VDF-TrFE)復(fù)合前驅(qū)液旋涂成膜，襯底需加熱至40～60℃，旋涂速率3000～4000rpm，旋涂時(shí)間20～40s；

5)將薄膜置于氮?dú)獗Ｗo(hù)的高溫烘箱中退火處理，退火溫度為130～140℃，得到Ag摻雜的P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀納米顆粒摻雜P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述復(fù)合薄膜基質(zhì)材料為偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)，所用溶劑為丁酮。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀納米顆粒摻雜P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述的有機(jī)溶劑是二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銀納米顆粒摻雜P(VDF-TrFE)復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4)中所述的襯底是單拋硅襯底、二氧化硅襯底或表面沉積了金、白金、銀或鋁金屬層作為下電極的單拋硅襯底。