[發明專利]一種大面積轉移CVD石墨烯膜的方法有效
| 申請號: | 201410018825.6 | 申請日: | 2014-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN103833030A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 黃長水;張圣亮;崔光磊;張傳健;逄淑平;韓鵬獻 | 申請(專利權)人: | 中國科學院青島生物能源與過程研究所 |
| 主分類號: | C01B31/04 | 分類號: | C01B31/04;B32B9/04;B32B27/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266101 山東省青*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大面積 轉移 cvd 石墨 方法 | ||
1.一種大面積轉移CVD石墨烯膜的方法,包括以下步驟:
a.?利用CVD的方法在金屬箔基底上制備石墨烯膜;
b.?在長有石墨烯膜的金屬箔基底的兩個表面熱輥壓一層高分子膜,將高分子膜/石墨烯復合膜前段卷纏在輥軸上,用于下一步的卷繞;采用輥壓的方式將附有高分子膜的石墨烯層通過氣體的輔助從金屬箔基底上剝離下來;或者先將高分子膜熱輥壓到兩個輥軸的表面,然后將長有石墨烯膜的金屬箔基底熱輥壓到附有高分子膜的輥軸上,在一定壓力和溫度的條件下,通過高分子膜與石墨烯的相互作用,采用輥軸卷繞,實現石墨烯層與金屬箔基底的分離;
c.?得到轉移到高分子膜上的石墨烯復合膜或者單一的石墨烯膜。
2.根據權利要求1的方法,其中所述制備石墨烯膜的制備條件:氫氣20sccm,氬氣330sccm,1000℃下先預燒30分鐘,然后通甲烷2sccm,1000℃下生長60分鐘,在通氫氣20sccm,氬氣330sccm條件下快速降溫,生長基底為金屬箔,包括銅箔、鎳箔、金箔、鉑箔,優選銅箔。
3.根據權利要求1的方法,這類高分子膜可根據實際需要選擇,包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethykenetereohthalate簡稱PET)膜、聚碳酸酯(Polycarbonate簡稱PC)膜、聚酰亞胺(Polyimide簡稱PI)膜、聚氯乙烯(Polyvinyl?chloride?polymer?簡稱PVC)膜、聚苯乙烯(Polystyrene?簡稱PS)膜、聚乙烯(polyethylene簡稱PE)膜、聚丙烯(Polypropylene?簡稱PP)膜。
4.根據權利要求1的方法,所通的輔助氣體包括空氣、氧氣、氯化氫(HCl)、氮氣、氬氣。
5.根據權利要求1的方法,其中所述熱輥壓的溫度為80℃,壓力為0.1Mpa。
6.根據權利要求1的方法,轉移的CVD石墨烯為不同層數的石墨烯。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院青島生物能源與過程研究所,未經中國科學院青島生物能源與過程研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410018825.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:花生衣活性組分的應用及包含該花生衣活性組分的組合物
- 下一篇:一種防雨板





