[發(fā)明專利]沉積源和有機(jī)層沉積設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410018562.9 | 申請日: | 2014-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN104178732B | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李寶羅 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/12 | 分類號: | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 王占杰,韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 有機(jī) 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
描述的技術(shù)總體上涉及沉積源和有機(jī)層沉積設(shè)備,更具體地講,涉及用于蒸發(fā)有機(jī)材料的沉積源和包括該沉積源的有機(jī)層沉積設(shè)備。
背景技術(shù)
近來,有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器由于它們的如下描述的特性而備受關(guān)注。
OLED顯示器能產(chǎn)生光而不需要單獨的光源。因此,這些顯示器與需要單獨光源的顯示裝置(諸如,液晶顯示器)相比能被制得更薄且更輕。OLED顯示器還具有諸如低功耗、高亮度和快速響應(yīng)速度的特性。
通常,OLED顯示器包括基底和有機(jī)層,其中,有機(jī)層包括用于OLED顯示器的每個像素的發(fā)射層。
有機(jī)層通常利用使包括有機(jī)材料(被沉積以形成有機(jī)層)的流體蒸發(fā)的沉積源形成。有機(jī)層的形成通常還需要包括設(shè)置在沉積源和沉積靶材(諸如基底)之間的掩模的有機(jī)層沉積設(shè)備。
在背景技術(shù)中公開的以上信息僅為了有助于所描述的技術(shù)的背景的理解,因此,其可能包括對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說在本國已經(jīng)公知的不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
一個發(fā)明方面是能改善有機(jī)層到諸如基底的沉積靶材的沉積效率的沉積源,以及包括該沉積源的有機(jī)層沉積設(shè)備。
另一方面是蒸發(fā)有機(jī)材料的沉積源。所述沉積源包括:排放管,釋放包括有機(jī)材料的流體。所述沉積源還包括坩堝,所述坩堝包括:與排放管相鄰的第一表面,第一表面接觸從排放管釋放的流體并具有第一高度;遠(yuǎn)離第一表面延伸的第二表面,第二表面接觸流自第一表面的流體并具有比第一高度低的第二高度。所述沉積源還包括:排泄管,與坩堝的第二表面相鄰,并且排放流自第二表面的流體。
第一表面和第二表面可以形成臺階金字塔。
第一表面和第二表面可以形成圓錐形。
第一表面和第二表面可以形成斜坡。
第一表面和第二表面可以形成臺階。
所述沉積源還可以包括使排泄管和排放管互相連接并提供從排泄管排放到排放管的流體的連接管。
所述沉積源還可以包括與坩堝相鄰并加熱坩堝的加熱器。
另一方面是在沉積靶材上形成有機(jī)層的有機(jī)層沉積設(shè)備。所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括沉積源。掩模位于沉積源和沉積靶材之間并且包括對應(yīng)于有機(jī)層的開口圖案。
公開的實施例的至少一方面提供一種能改善使有機(jī)層到諸如基底的沉積靶材的沉積效率的沉積源以及包括該沉積源的有機(jī)層沉積設(shè)備。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)描述的技術(shù)的示例性實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的視圖。
圖2是示出圖1的沉積源的剖視圖。
圖3是示出根據(jù)另一個示例性實施例的沉積源的剖視圖。
圖4是示出根據(jù)示例性實施例的沉積源的剖視圖。
圖5是示出根據(jù)示例性實施例的沉積源的剖視圖。
具體實施方式
在下文中,將參照附圖詳細(xì)地描述所描述的技術(shù)的示例性實施例,使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地實踐描述的技術(shù)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到的是,在所有不脫離描述的技術(shù)的精神或范圍的情況下,可以以各種不同的方式修改描述的實施例。
在描述公開的技術(shù)時,將省略與描述無關(guān)的部件。在整個說明書中,同樣的附圖標(biāo)記通常指的是同樣的元件。
此外,在各種示例性實施例中,相對于與在第一示例性實施例中示出的元件具有相同結(jié)構(gòu)的組成元件使用相同的附圖標(biāo)記。在其他的示例性實施例中,僅示出不同于第一示例性實施例的元件。
此外,在附圖中示出的每個元件的尺寸和厚度僅為了有助于理解和易于描述的目的而示出,但是描述的技術(shù)不限于此。
在附圖中,為了清除起見,可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中,為了有助于理解并易于描述,可以夸大一些層和區(qū)域的厚度。
此外,除非明確地做出相反描述,否則詞語“包括”和諸如“包含”或“具有”的變型將被理解為暗指包括所陳述的元件,但是不排除任何其他元件。
在下文中,將參照圖1和圖2描述根據(jù)描述的技術(shù)的示例性實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備。
圖1是示出根據(jù)示例性實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的視圖。
如在圖1中所示,根據(jù)示例性實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備1000在被用作沉積靶材的基底10上形成有機(jī)層11。有機(jī)層沉積設(shè)備1000包括掩模100和沉積源200。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410018562.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





