[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410017484.0
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104518015A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 下條亮平;中村和敏;小倉常雄;末代知子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅;楊謙

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一導電型的第一半導體區域；

多個控制電極，設置在所述第一半導體區域之上，在第一方向上相互分離；

多個導電部，設置在所述多個控制電極當中的第一控制電極和與所述第一控制電極相鄰的第二控制電極之間；

第二導電型的第二半導體區域，設置在所述第一半導體區域之上；

第一導電型的第三半導體區域，設置在所述第二半導體區域之上；

第一導電型的第四半導體區域，設置在所述第一半導體區域和所述第二半導體區域之間；

第二導電型的第五半導體區域，設置在所述第一半導體區域的與所述第二半導體區域相反的一側；

第一絕緣膜，設置在所述多個控制電極的每個與所述第一半導體區域、所述第二半導體區域、所述第三半導體區域及所述第四半導體區域之間；

第二絕緣膜，設置在所述多個導電部的每個與所述第一半導體區域、所述第二半導體區域及所述第四半導體區域之間；

第一電極，與所述第二半導體區域、所述第三半導體區域及所述多個導電部導通；以及

第二電極，與所述第五半導體區域導通。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個導電部在所述第一方向上的間隔比所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的第一導電部之間在所述第一方向上的間隔大。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第四半導體區域具有：

第一部分，設置在所述多個導電部之間；以及

第二部分，位于所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的第一導電部之間；

所述第一部分的雜質濃度比所述第二部分的雜質濃度高。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第二半導體區域具有：

第三部分，設置在所述多個導電部之間；以及

第四部分，位于所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的第一導電部之間；

所述第三部分的雜質濃度比所述第四部分的雜質濃度低。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個導電部具有：

第一導電部，與所述第一控制電極相鄰；

第三導電部，與所述第二控制電極相鄰；以及

第二導電部，設置在所述第一導電部和所述第三導電部之間；

所述第二導電部的深度比所述第一導電部的深度以及所述第三導電部的深度深。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述多個導電部之間，所述第二半導體區域與所述第一半導體區域相接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第四半導體區域具有：

第一部分，設置在所述多個導電部之間；以及

第二部分，位于所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的第一導電部之間；

所述第一部分的深度比所述第二部分的深度深。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第二半導體區域具有：

第三部分，設置在所述多個導電部之間；以及

第四部分，位于所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的第一導電部之間；

所述第三部分的深度比所述第四部分的深度深。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述多個導電部當中相鄰的2個所述導電部之間的區域為多個的情況下，所述第四半導體區域設置在所述多個區域當中的至少1個區域。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第一控制電極和所述多個導電部當中的與所述第一控制電極相鄰的導電部之間、以及所述第二控制電極和所述多個導電部當中的與所述第二控制電極相鄰的導電部之間，所述第一半導體區域與所述第二半導體區域相接觸。