[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410017484.0
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104518015A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 下條亮平;中村和敏;小倉常雄;末代知子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅;楊謙

本申請享受以日本專利申請2013-206742號（申請日：2013年10月1日）為基礎申請的優先權。本申請參照該基礎申請，將基礎申請的全部內容包括在內。

技術領域

本發明的實施方式涉及半導體裝置。

背景技術

近年來，作為對高耐壓、大電流進行控制的功率半導體裝置，廣泛使用IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor：絕緣柵雙極晶體管）。IGBT通常用作開關元件。在IGBT的半導體裝置中，希望實現開關動作的進一步的高速化。

發明內容

本發明的實施方式提供一種能夠實現開關動作的高速化的半導體裝置。

實施方式的半導體裝置包括第一半導體區域、多個控制電極、多個導電部、第二半導體區域、第三半導體區域、第四半導體區域、第五半導體區域、第一絕緣膜、第二絕緣膜、第一電極、第二電極。

所述第一半導體區域為第一導電型的區域。

所述多個控制電極設置在所述第一半導體區域之上，在第一方向上相互分離。

所述多個導電部設置在所述多個控制電極當中的第一控制電極和與所述第一控制電極相鄰的第二控制電極之間。

所述第二半導體區域為設置在所述第一半導體區域之上的第二導電型的區域。

所述第三半導體區域為設置在所述第二半導體區域之上的第一導電型的區域。

所述第四半導體區域為設置在所述第一半導體區域和所述第二半導體區域之間的第一導電型的區域。

所述第五半導體區域為設置在所述第一半導體區域的與所述第二半導體區域相反的一側的第二導電型的區域。

所述第一絕緣膜設置在所述多個控制電極的每個與所述第一半導體區域、所述第二半導體區域、所述第三半導體區域以及所述第四半導體區域之間。

所述第二絕緣膜設置在所述多個導電部的每個與所述第一半導體區域、所述第二半導體區域以及所述第四半導體區域之間。

所述第一電極與所述第二半導體區域、所述第三半導體區域以及所述多個導電部導通。

所述第二電極與所述第五半導體區域導通。

附圖說明

圖1是例示第一實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖2是例示第二實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖3是例示第三實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖4是例示第四實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖5是例示第五實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖6是例示第六實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖7是例示第七實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖8是例示第八實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖9是例示第九實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

圖10是例示第十實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。

具體實施方式

下面，基于附圖說明本發明的實施方式。此外，附圖是示意圖或概念圖，各部分的厚度與寬度之間的關系、部分之間的大小的比率等不一定與實物相同。另外，即使是表示相同的部分的情況下，在附圖中也有時相互的尺寸、比率不同。

另外，在本申請的說明書和各附圖中，對于與在之前的附圖中已經說明過的要素相同的要素，標注同一附圖標記，適當省略詳細的說明。

另外，在下面的說明中，n^＋、n、n^-以及p^＋、p、p^-的表述表示各導電型的雜質濃度的相對高低。即，表示n^＋與n相比n型的雜質濃度較高，n^-與n相比n型的雜質濃度較低。另外，表示p^＋與p相比p型的雜質濃度較高，p^-與p相比p型的雜質濃度較低。

在下面的說明中，作為一個例子，列舉了第一導電型為n型，第二導電型為p型的具體例子。

（第一實施方式）

圖1是例示第一實施方式的半導體裝置的結構的示意剖視圖。