[發明專利]用于制作半導體芯片面板的方法在審
| 申請號: | 201410015654.1 | 申請日: | 2014-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN103928352A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | E.菲爾古特;D.波爾沃爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬麗娜;胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制作 半導體 芯片 面板 方法 | ||
技術領域
本發明涉及用于制作半導體芯片面板的方法并且涉及半導體芯片封裝。
背景技術
在功率電子設備中,非常經常地使用具有垂直晶體管比如,例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的半導體芯片,或者通常是其中至少一個電接觸焊盤被布置在半導體芯片的第一主面上并且至少一個其它電接觸焊盤被布置在與第一主面相對的第二主面上的晶體管。可以連接這些半導體芯片中的幾個芯片以形成功率模塊或功率系統。這樣的功率模塊中的一個示例是所謂的智能功率模塊(IPM)。
在半導體芯片封裝的制作過程中,單個半導體芯片或者包括幾個半導體芯片的半導體芯片模塊可以被嵌入在模塑料(mold?compound)中,模塑料可以包括任何種類的密封材料。可以在晶片級基礎上執行該制作過程。在該制作過程期間,可能需要在一個半導體芯片模塊內的不同半導體芯片之間制作電互連。如同在許多情況中那樣,半導體功率芯片包括在其兩個主表面上的接觸元件,其可能是有利的,如果半導體芯片可以容易地從兩側被接近(access)以制作電互連的話。一個另外的方面是用于功率半導體芯片的新的半導體材料(比如,例如SiC或GaN)的出現和開發,其需要與在硅功率芯片中的條件不同的條件,比如,例如用于高效和快速開關的較高溫度。
附圖說明
附圖被包括用以提供對實施例的進一步理解并且被并入和構成該說明書的一部分。這些圖示出實施例并且與描述一起用來解釋實施例的原理。將容易領會其它實施例和實施例的多個預期的優點,因為通過參考以下詳細描述它們變得更好理解。這些圖的元件不一定相對于彼此按比例。相似的參考數字表示相應的相似部分。
圖1示出用于說明根據實施例制作半導體芯片面板的方法的流程圖。
圖2A-2D示出用于說明根據實施例制作半導體芯片面板的方法的示意截面側視圖表示。
圖3A-3C示出用于說明制作包括邊緣支撐結構的半導體芯片面板的方法的示意截面側視圖表示。
圖4A-4E示出半導體芯片面板的示例的示意截面側視圖表示。
圖5A-5C示出用于說明通過另外使用引線框來制作半導體芯片面板的方法的示意截面側視圖表示。
圖6示出通過另外使用引線框來制作半導體芯片面板的示例的示意截面側視圖表示。
圖7示出根據示例的在進一步處理之后的半導體芯片面板的示意截面側視圖表示。
圖8A-8C示出用于說明制作其中密封材料與半導體芯片的主面的邊緣部分重疊的半導體芯片封裝和半導體芯片面板的方法的示例的示意截面側視圖表示(A,B)和頂視圖表示(C)。
具體實施方式
現在參照各圖描述各方面和實施例,其中從頭到尾相似的參考數字通常用來指代相似的元件。在下面的描述中,為了解釋的目的,許多特定的細節被闡述以便提供對實施例的一個或多個方面的透徹理解。然而,對于本領域技術人員來說,可以顯然的是實施例的一個或多個方面可以以更少程度的特定細節來被實施。在其它實例中,以示意的形式示出已知結構和元件以便便于描述實施例的一個或多個方面。應該理解在不脫離本發明的范圍的情況下,可以利用其它實施例并且可以作出結構或邏輯變化。應該進一步注意到各圖不是按比例或者不必要按比例。
另外,雖然可以相對于幾個實施方式中的僅一個來公開實施例的特定特征或方面,但是這樣的特征或方面可以與其它實施方式的一個或多個其它特征或者方面組合,這可能對于任何給定的或特定的應用是期望的和有利的。此外,就在詳細的描述或者權利要求中使用的術語“包括”,“具有”,“有”或者其其它變型來說,這樣的術語以與術語“包含”相似的方式旨在是包括一切的(inclusive)。可以使用術語“耦合”和“連接”以及派生詞。應該理解這些術語可以被用來表示兩個元件互相協作或互相作用,不管它們是直接物理或電接觸,還是它們不互相直接接觸。而且,術語“示例性的”僅意指作為示例,而不是最好的或最佳的。因此,下面詳細的描述不是在限制性意義上來進行的,并且本發明的范圍被所附權利要求限定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





