[發(fā)明專利]用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410015654.1 | 申請日: | 2014-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN103928352A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | E.菲爾古特;D.波爾沃爾 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬麗娜;胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制作 半導(dǎo)體 芯片 面板 方法 | ||
1.一種用于制作半導(dǎo)體芯片面板的方法,所述方法包括:
提供載體;
提供多個半導(dǎo)體芯片,所述半導(dǎo)體芯片均包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面;
將所述半導(dǎo)體芯片放置在所述載體上,其中所述第二主面面向所述載體;并且
將密封材料施加到所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,進一步包括在施加所述密封材料之前覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面使得所述密封材料將不被施加到所述第一主面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法,其中所述第一主面被聚合物膜或聚合物箔覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中施加所述密封材料包括傳遞模塑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述半導(dǎo)體芯片中的至少一些包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、和無源部件中的一個或多個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述半導(dǎo)體芯片是相似的或相同的并且以相似或不同的空間取向被放置在所述載體上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述半導(dǎo)體芯片包括不同的電裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述半導(dǎo)體芯片中的至少一些包括在從5μm-1000μm的范圍中的厚度,尤其是從30μm-80μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中全部半導(dǎo)體芯片具有相等的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述半導(dǎo)體芯片包括不同的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述密封材料包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一個或多個。
12.一種半導(dǎo)體芯片封裝,包括:
包含第一主面和與所述第一主面相對的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面的半導(dǎo)體芯片;和
覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的密封材料,其中所述密封材料不被施加在所述第一和第二主面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、續(xù)流二極管、和無源部件中的一個或多個。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述半導(dǎo)體芯片包括在從30μm-80μm的范圍中的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述密封材料包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料、硅材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一個或多個。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述密封材料覆蓋邊緣部分上的第一和/或第二主面。
17.一種半導(dǎo)體芯片封裝,包括:
包含兩個或更多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片模塊,其中半導(dǎo)體芯片中的至少一個包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面;以及
覆蓋所述至少一個半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的密封材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述密封材料不被施加在所述至少一個半導(dǎo)體芯片的所述第一和第二主面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝,其中所述至少一個半導(dǎo)體芯片包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路、傳感器、和無源部件中的一個或多個。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝,進一步包括從所述側(cè)面延伸并且突出到所述第一或第二主面中的一個的平面以外的所述密封材料的環(huán)狀部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英飛凌科技股份有限公司,未經(jīng)英飛凌科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410015654.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種半導(dǎo)體芯片粘接方法
- 下一篇:健康茶及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





