[發明專利]一種應用于LDO的擺率增強電路

有效

• 申請號: 201410014735.X
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN103760943A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 陳洋;程心;解光軍;楊依忠
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

技術領域

本發明涉及電源管理技術領域，尤其涉及一種應用于LDO的擺率增強電路。

背景技術

智能手機、個人數字助理和手持設備等便攜式設備,通常需要不同的電平對不同的模塊進行供電。LDO具有成本低、輸出噪聲小、電路結構簡單、占用芯片面積小等優點，已成為電源管理芯片中的一類重要電路。LDO的本質是利用帶隙基準產生的穩定電壓和負反饋控制環路得到一個基本不隨環境變化的輸出電壓。LDO能將不斷衰減的電池電壓轉換成低噪聲的穩定精確電壓，以滿足便攜式設備中對噪聲敏感的模擬模塊和射頻模塊的需要。

傳統的LDO電路如圖1所示，V_out會在負載瞬態變化時產生尖峰，V_out重新恢復穩定需要一定的時間，要獲得快速的負載瞬態響應，需要大的靜態電流以提高對功率調整管柵極的充放電速度。而在便攜式應用中需要盡量延長電池使用壽命，傳統的LDO電路結構無法同時兼顧低的靜態電流和快速的負載瞬態響應。

因此，為了在不顯著增加靜態電流的情況下獲得快速的瞬態響應，需要設計一款擺率增強電路用于改善其瞬態響應。

發明內容

本發明目的就是為了彌補已有技術的缺陷，提供一種應用于LDO的擺率增強電路。

本發明是通過以下技術方案實現的：

一種應用于LDO的擺率增強電路，包括有PMOS管M₀、M₂、M₄、M₆、M₈、NMOS管M₁、M₃、M₅、M₇、M₉和電容C_f；所述的電容C_f的一端為擺率增強電路的輸入端，另一端分別與PMOS管M₂的柵極、漏極、PMOS管M₄的柵極、PMOS管M₆的柵極以及NMOS管M₃的漏極連接；

PMOS管M₂的源極分別與PMOS管M₀的源極、PMOS管M₄的源極、PMOS管M₆的源極、PMOS管M₈的源極相連，并連接外部輸入電源V_IN，PMOS管M₂漏極連接NMOS管M₃的漏極，PMOS管M₂柵極連接PMOS管M₄的柵極；

PMOS管M₄的漏極與NMOS管M₅的漏極和NMOS管M₉的柵極相連；NMOS管M₅的柵極分別連接NMOS管M₁的柵極、漏極、NMOS管M₃的柵極、NMOS管M₇的柵極；

NMOS管M₁漏極接PMOS管M₀的漏極，NMOS管M₁源級與NMOS管M₃的源級、NMOS管M₅的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

NMOS管M₃的柵極與NMOS管M₅的柵極、NMOS管M₁的柵極、NMOS管M₇的柵極相連，NMOS管M₃的源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₅的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

NMOS管M₅的漏極與PMOS管M₄的漏極和NMOS管M₉的柵極相連，NMOS管M₅源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₃的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；