[發明專利]一種應用于LDO的擺率增強電路

有效

• 申請號: 201410014735.X
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN103760943A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 陳洋;程心;解光軍;楊依忠
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種應用于LDO的擺率增強電路，其特征在于：包括有?PMOS管M_0、M₂、M₄、M₆、M₈、NMOS管M₁、M₃、M₅、M₇、M₉和電容C_f；所述的電容C_f的一端為擺率增強電路的輸入端，另一端分別與PMOS管M₂的柵極、漏極、PMOS管M₄的柵極、PMOS管M₆的柵極以及NMOS管M₃的漏極連接；

PMOS管M₂的源極分別與PMOS管M₀的源極、PMOS管M₄的源極、PMOS管M₆的源極、PMOS管M₈的源極相連，并連接外部輸入電源V_IN，PMOS管M₂漏極連接NMOS管M₃的漏極，PMOS管M₂柵極連接PMOS管M₄的柵極；

PMOS管M₄的漏極與NMOS管M₅的漏極和NMOS管M₉的柵極相連；NMOS管M₅的柵極分別連接NMOS管M₁的柵極、漏極、NMOS管M₃的柵極、NMOS管M₇的柵極；

NMOS管M₁漏極接PMOS管M₀的漏極，NMOS管M₁源級與NMOS管M₃的源級、NMOS管M₅的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

NMOS管M₃的柵極與NMOS管M₅的柵極、NMOS管M₁的柵極、NMOS管M₇的柵極相連，NMOS管M₃的源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₅的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

NMOS管M₅的漏極與PMOS管M₄的漏極和NMOS管M₉的柵極相連，NMOS管M₅源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₃的源級、NMOS管M₇的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

PMOS管M₆的柵極與PMOS管M₂和PMOS管M₄的柵極相連，PMOS管M₆的漏極與NMOS管M₇的漏極和PMOS管M₈的柵極相連，PMOS管M₆源級與PMOS管M₀、PMOS管M₂、PMOS管M₄、PMOS管M₈的源極相連，并連接外部輸入電源V_IN；

NMOS管M₇的柵極與NMOS管M₁的柵極、NMOS管M₃的柵極、NMOS管M₅的柵極相連，NMOS管M₇的漏極與PMOS管M₆的漏極和PMOS管M₈的柵極相連，NMOS管M₇的源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₃的源級、NMOS管M₅的源級和NMOS管M₉的源級相連并接地；

PMOS管M₈的柵極與PMOS管M₆和NMOS管M₇的漏極相連，PMOS管M₈的漏極與NMOS管M₉的漏極相連，PMOS管M₈的源級與PMOS管M₀、PMOS管M₂、PMOS管M₄和PMOS管M₆的源極相連，并連接外部輸入電源V_IN；

NMOS管M₉的柵極與PMOS管M₄的漏極和NMOS管M₅的漏極相連，NMOS管M₉的源級與NMOS管M₁的源級、NMOS管M₃的源級、NMOS管M₅的源級和NMOS管M₇的源級相連并接地，NMOS管M₉的漏極與PMOS管M₈的漏極相連并作為擺率增強電路的輸出端；

PMOS管M₀的漏極接NMOS管M₁的漏極，PMOS管M₀的源級接外部輸入電源V_IN，PMOS管M₀的柵極接外部偏置電壓V_b。