[發明專利]氯化鹽誘導可控制備特定晶相過渡金屬硅化物材料的方法無效
| 申請號： | 201410014412.0 | 申請日： | 2014-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103771420A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 趙丹;王冰;鄧圣軍;肖衛明;陳超;張寧 | 申請（專利權）人： | 南昌大學 |
| 主分類號： | C01B33/06 | 分類號： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知識產權代理事務所 36122 | 代理人： | 夏材祥 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氯化 誘導 可控 制備 特定 過渡 金屬硅 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氯化鹽誘導可控制備特定晶相過渡金屬硅化物材料的方法，其特征是：
（1）各組分按重量百分比為：
前體載體：活性碳即C或氧化硅即SiO2??????????????94.5-82.0%?????
前體金屬：鐵Fe、銅Cu、鈷Co或鎳Ni?????????????5.0-15.0%
誘導劑：??氯化鋇BaCl2或氯化鈣CaCl2?????????????0.5-3.0%
（2）制備步驟：
將浸漬有氯化鋇或氯化鈣和鐵、銅、鈷或鎳的活性碳或氧化硅前體載體置于石英管反應器中，先用高純氫氣H2處理金屬使其在500攝氏度完全還原后，再將摩爾比為1:6-8的SiCl4與H2的混合氣，在體積空速為5000-20000/每分鐘、壓力為0.1-1.0?MPa條件下切入反應器，控制溫度500-900攝氏度范圍內，反應3-8小時，制備出過渡金屬硅化物。
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