[發(fā)明專(zhuān)利]具可編程可抹除的單一多晶硅層非揮發(fā)性存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410012754.9
• 申請(qǐng)日: 2014-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104157652A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳緯仁;徐徳訓(xùn);李文豪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L29/49;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，包括：

基板結(jié)構(gòu)；

浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管，包括浮動(dòng)?xùn)艠O、柵極氧化層位于該浮動(dòng)?xùn)艠O下方、以及溝道區(qū)域位于一N型阱區(qū)內(nèi)；以及

抹除柵區(qū)域，包括P型阱區(qū)與n型源/漏區(qū)域，該n型源/漏區(qū)域連接至一抹除線電壓，其中該浮動(dòng)?xùn)艠O向外延伸并相鄰于該抹除柵區(qū)域；

其中，該P(yáng)型阱區(qū)與該N型阱區(qū)形成于該基板結(jié)構(gòu)中，該柵極氧化層包括第一部分位于該溝道區(qū)域上方，以及第二部分位于該抹除柵區(qū)域上方，并且該柵極氧化層的該第一部分的厚度相異于該柵極氧化層的該第二部分的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該抹除柵區(qū)域還包括一第一n型區(qū)域位于該P(yáng)型阱區(qū)以及該n型源/漏區(qū)域之間。

3.如權(quán)利要求2所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第一n型區(qū)域?yàn)橐浑p擴(kuò)散漏極摻雜區(qū)。

4.如權(quán)利要求2所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該P(yáng)型阱包括：

第一p型區(qū)域，形成于該基板結(jié)構(gòu)的表面下方并且接觸于該第一n型區(qū)域；

多個(gè)第二p型區(qū)域；以及

第三p型區(qū)域，形成于該第一p型區(qū)域的下方；

其中，該些第二p型區(qū)域圍繞住該第一p型區(qū)域與該第三p型區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第二p型區(qū)域的摻雜量大于等于該第一p型區(qū)域的摻雜量；且該第三p型區(qū)域的摻雜量大于等于該第一p型區(qū)域的摻雜量。

6.如權(quán)利要求4所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該基板結(jié)構(gòu)包括：

P型基板；以及

深N型阱區(qū)，形成于該P(yáng)形基板內(nèi)，其中該深N型阱區(qū)接觸于該N型阱區(qū)、該些第二p型區(qū)域、與該第三p型區(qū)域，并且該深N型阱區(qū)連接至一深N型阱區(qū)電壓。

7.如權(quán)利要求4所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該基板結(jié)構(gòu)包括：

P型基板；

第二n型區(qū)域，形成于該P(yáng)型基板內(nèi)；以及

第四p型區(qū)域，形成于該第二n型區(qū)域上方，且該第四p型區(qū)域接觸于該第二n型區(qū)域；

其中，該第四p型區(qū)域還接觸于該N型阱區(qū)、該些第二p型區(qū)域、與該第三p型區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第四p型區(qū)域的摻雜量大于等于該P(yáng)型基板的摻雜量。

9.如權(quán)利要求7所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第四p型區(qū)域的摻雜量大于等于該第三p型區(qū)域的摻雜量，且該第四p型區(qū)域的摻雜量小于等于該第二p型區(qū)域的摻雜量。

10.如權(quán)利要求1所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該P(yáng)型阱區(qū)包括：

第一p型區(qū)域，形成于該基板結(jié)構(gòu)的表面下方并且接觸于該n型源/漏區(qū)域；

多個(gè)第二p型區(qū)域；以及

第三p型區(qū)域，形成于該第一p型區(qū)域的下方；

其中，該些第二p型區(qū)域圍繞住該第一p型區(qū)域與該第三p型區(qū)域。

11.如權(quán)利要求10所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第二p型區(qū)域的摻雜量大于等于該第一p型區(qū)域的摻雜量；且該第三p型區(qū)域的摻雜量大于等于該第一p型區(qū)域的摻雜量。

12.如權(quán)利要求10所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該基板結(jié)構(gòu)包括：

P型基板；以及

深N型阱區(qū)，形成于該P(yáng)形基板內(nèi)，其中該深N型阱區(qū)接觸于該N型阱區(qū)、該些第二p型區(qū)域、與該第三p型區(qū)域。

13.如權(quán)利要求10所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該基板結(jié)構(gòu)包括：

P型基板；

第二n型區(qū)域，形成于該P(yáng)型基板內(nèi)；以及

第四p型區(qū)域，形成于該第二n型區(qū)域上方，且該第四p型區(qū)域接觸于該第二n型區(qū)域；

其中，該第四p型區(qū)域還接觸于該N型阱區(qū)、該些第二p型區(qū)域、與該第三p型區(qū)域。

14.如權(quán)利要求13所述的具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中，該第四p型區(qū)域的摻雜量大于等于該P(yáng)型基板的摻雜量。