[發明專利]檢查裝置及檢查方法

有效

• 申請號: 201410012280.8
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN104423147B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 鈴木勝;水野央之
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 徐健;陳海紅

本發明提供一種檢查裝置及檢查方法。檢查裝置具備接觸位置取得部和檢查狀態判定部。上述接觸位置取得部使用保持對象的檢查面上的粒子有無的檢查結果和靜電吸盤保持機構的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置。上述檢查狀態判定部針對在上述檢查面的與上述凸部分的接觸區域附著的粒子的尺寸，使用第1判斷基準值來判定是否在容許范圍內，針對在上述檢查面的與上述凸部分的非接觸區域附著的粒子的尺寸，使用比上述第1判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內。

技術領域

本發明涉及檢查裝置及檢查方法。

背景技術

伴隨半導體裝置的微細化，曝光裝置使用的光源進一步短波長化，采用波長100nm左右以下的極端紫外光(Extreme Ultra Violet light:以下稱為EUV光)的曝光裝置(EUV曝光裝置)逐步應用到半導體裝置。EUV光具有在大氣中衰減，難以透過用作以往的曝光裝置的掩模的玻璃等材質的性質。因此，在真空腔內通常采用具備Mo或Si等的多層膜的反射型掩模進行EUV曝光。

這樣，作為保持掩模的機構，由于EUV曝光在真空腔內進行，因此難以適用以往的曝光裝置采用的通過真空吸附吸盤保持掩模外周部的方法。因此，通常采用通過靜電吸盤保持掩模背面側的方法。

靜電吸盤保持機構具有在基體表面形成電極層，在該電極層上2維地配置與掩模背面接觸的多個凸部的構造。該凸部配置為還與掩模的圖形區域所包含的背面接觸。因此，靜電吸盤保持機構與掩模背面接觸的面積比通過以往的真空吸附吸盤保持時增加。由此，在掩模背面或靜電吸盤附著粒子(particle，顆粒)的可能性高。另外，若在掩模背面附著粒子的狀態下用靜電吸盤保持機構保持掩模，則無法實現平坦的掩模夾持(clamp)，也存在無法正常形成曝光圖案的情況。

因而，進行掩模背面檢查，在容許預定尺寸的粒子或預定數量的粒子對掩模背面的附著的情況下，進行曝光處理。

發明內容

本發明的實施例提供一種在檢查靜電吸盤保持機構保持的保持對象的表面有無粒子時合適的檢查裝置及檢查方法。

根據實施例，提供一種檢查裝置，檢查在由靜電吸盤保持機構的凸部分保持的保持對象的與上述凸部分接觸一側的面有無附著粒子。上述檢查裝置具備接觸位置取得部和檢查狀態判定部。上述接觸位置取得部使用有無存在于上述保持對象的檢查面的粒子的檢查結果、和上述靜電吸盤保持機構的凸部分的坐標信息，取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置。上述檢查狀態判定部針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的接觸區域附著的粒子的尺寸，使用第1判斷基準值來判定是否在容許范圍內，針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的區域以外的非接觸區域附著的粒子的尺寸，使用比上述第1判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內。

附圖說明

圖1A是表示靜電吸盤保持機構的一例的俯視圖。

圖1B是表示由靜電吸盤保持機構保持掩模的狀態的一例的側視圖。

圖2是表示第1實施例的判定基準值的考慮方法的一例的圖。

圖3是示意表示第1實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能的框圖。

圖4是示意表示檢查部的構成的一例的圖。

圖5是示意表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查裝置的功能的框圖。

圖6是表示第2實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。

圖7和圖8是表示凸部接觸區域的求出方法的一例的圖。

圖9是表示第3實施例的靜電吸盤保持對象檢查方法的處理順序的一例的流程圖。

圖10A～圖10C是表示凸部接觸區域的求出方法的一例的圖。