[發明專利]檢查裝置及檢查方法有效
| 申請號: | 201410012280.8 | 申請日: | 2014-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN104423147B | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發明(設計)人: | 鈴木勝;水野央之 | 申請(專利權)人: | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/84 | 分類號: | G03F1/84;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 徐健;陳海紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢查 裝置 方法 | ||
1.一種檢查裝置,其特征在于,具備:
接觸位置取得部,其使用有無存在于保持對象的檢查面的粒子的檢查結果、和靜電吸盤保持機構的凸部分的坐標信息,取得上述凸部分對上述檢查面的接觸位置;和
檢查狀態判定部,其針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的接觸區域附著的粒子的尺寸,使用第1判斷基準值來判定是否在容許范圍內,針對在上述檢查面的與上述凸部分接觸的區域以外的非接觸區域附著的粒子的尺寸,使用比上述第1判斷基準值大的第2判斷基準值來判定是否在容許范圍內,
上述檢查裝置檢查在由靜電吸盤保持機構的上述凸部分保持的保持對象的與上述凸部分接觸一側的面有無附著粒子。
2.根據權利要求1所述的檢查裝置,其特征在于,
上述第2判斷基準值比上述第1判斷基準值大了上述凸部分的高度。
3.根據權利要求1所述的檢查裝置,其特征在于,
上述接觸位置取得部具備:
實際接觸區域確定部,其使用從拍攝上述檢查面而得到的檢查圖像選擇的可推測為上述檢查面與上述凸部分接觸的多個位置的坐標,算出上述多個位置間的間距,在上述間距為上述凸部分的間距的整數倍的情況下,將上述多個位置作為實際接觸區域;
接觸區域推定部,其使用上述實際接觸區域的坐標和算出的上述間距,推定在上述檢查面內與上述凸部分接觸的接觸推定區域;以及
接觸區域取得部,其從上述實際接觸區域和上述接觸推定區域取得上述接觸區域,將上述檢查面內的上述接觸區域以外的區域作為上述非接觸區域。
4.根據權利要求3所述的檢查裝置,其特征在于,
上述實際接觸區域確定部在上述間距的算出中使用最小二乘法或傅里葉變換來進行運算。
5.根據權利要求1所述的檢查裝置,其特征在于,
上述接觸位置取得部具備:
實際接觸區域確定部,其從表示上述檢查面的粒子的位置的粒子圖內使用規則地配置有上述粒子的區域的上述粒子的坐標,算出上述粒子間的間距,在上述間距為上述凸部分的間距的整數倍的情況下,將上述規則的上述粒子的位置作為實際接觸區域;
接觸區域推定部,其使用上述粒子的坐標和算出的上述間距,推定在上述檢查面內與上述凸部分接觸的接觸推定區域;以及
接觸區域取得部,其從上述實際接觸區域和上述接觸推定區域取得上述接觸區域,將上述檢查面內的上述接觸區域以外的區域作為上述非接觸區域。
6.根據權利要求5所述的檢查裝置,其特征在于,
上述實際接觸區域確定部在上述間距的算出中使用最小二乘法或傅里葉變換來進行運算。
7.根據權利要求1所述的檢查裝置,其特征在于,
上述檢查結果包括在上述檢查面存在的上述粒子的坐標和尺寸。
8.根據權利要求7所述的檢查裝置,其特征在于,
上述檢查結果還包括拍攝在上述檢查面存在的上述粒子的位置而得到的檢查圖像。
9.根據權利要求1所述的檢查裝置,其特征在于,
上述檢查結果還包括在上述檢查面存在的上述粒子的組成分析結果,
上述檢查狀態判定部根據上述粒子的組成,具有上述接觸區域的判斷基準值和上述非接觸區域的判斷基準值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東芝存儲器株式會社,未經東芝存儲器株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410012280.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





